そうピン易しくする技術開発
| 記事入力 2012-02-01 21:33 UNIST グォンスンヨング教授チーム, 既存 `戦死¥"段階経らなくて低温で直接合成
次世代半導体・ディスプレー素材で期待されるそうピンを今よりずっと手軽くする技術が国内研究陣によって開発された. 1000℃ 以上の高温が動員されて, 合成したそうピンを願う基板に移す `戦死¥" 段階が必要な既存技術と違い, 200℃ 以内で願う基板に直接作ることができるのが特徴だ.
蔚山科学技術大(UNIST) グォンスンヨング教授(機械新素材工学部・写真)とグァックジンソング博士課程生, ギムソングヨブ・朴起伏教授研究チームはソウル大金嶺雲・ユンウィズン教授, 米 UCLA スンニをコダムバカ教授チームと共同研究を通じて金属, プラスチック, 硝子など多様な基板の上にそうピンを直接合成する技術を開発したと 1日明らかにした.
現在お目見えした対面的そうピン合成技術である化学気象蒸着法(CVD)は 1000℃で金属基板上にそうピンを合成した後願う基板で移す戦死作業が必要だ. 大部分半導体公正は 400℃ 以下で成り立って半導体連続公正に含ませにくくて, そうピンを基板に移す過程で破れるとかしわくちゃになる損傷問題があった.
研究チームは低温で炭素原子が自ら金属表なら上で広がってそうピン構造を成す現象を利用, 新しい技法である `拡散利用合成法(DAS)¥"を考案した. 酸化シリコーンや硝子, プラスチック基板の上にニッケル薄膜を着せた後炭素原子パウダーを塗ってくれて, アルゴンガスや一般大気環境で 160〜200℃の温度を加えればニッケル薄膜を成した結晶粒(決定固まり)の隙間で炭素原子たちが入って行って結果的に基板とニッケル薄膜の間に炭素原子一ケ階厚さのそうピンを自動で作る. その後炭素パウダーとニッケルをとり除けば基板上のそうピンだけ残る.
研究チームは特にそうピンとニッケル結晶粒模様が似たり寄ったりに形成される位, ニッケル結晶粒を調節することでそうピン結晶粒大きさを制御することができるというヒントを得た. 原子価一方向に並んで配列された単結晶そうピンは鋼鉄より 200倍以上強くて, あかがねより 100倍以上電気伝導島が高いが現在人工的に作るそうピンは限りない結晶粒になっていて, 結晶粒の間に振ることがあって強度と電気伝導もなどが大きく落ちる. それで結晶粒を育てるのがそうピン性能改善の核心イシューと同時に難題だ.
グォンスンヨング教授は今度研究ではニッケルを常温で基板に蒸着したが高温蒸着技術を取り入れれば結晶粒大きさを数十盃以上育てることができることで見てもう関連装備を取り入れたと現在は既存方式より結晶粒大きさが小さくて電気伝導も背中が落ちるがすぐ乗り越えることができると明らかにした.
が研究は教育科学技術部と韓国研究財団のサポートのもとに成り立ったし, 研究結果は世界的な科学クラスメディア `ネイチャー¥"の姉妹紙である `ネイチャーコミュニケイションス¥" 1月 24日付けに載せられた.
めがね赤ちゃん者 naturean@
