水に濡れないメモリー素子開発
| 記事入力 2012-04-22 12:09 | 最終修正 2012-04-22 17:12 
国内研究陣が水に濡れない次世代メモリー素子技術を開発した. 雨に濡れるとか水におぼれても安全なコンピューターやスマトホン開発に青信号がともった.
教育科学技術部は勇気中ポステック教授チームが生体模倣技術(ヨンイブヒョグァ)を利用して水に濡れない非揮発性メモリー素子開発に成功したと 22日明らかにした. その間半導体素子は水に脆弱で素子を防水処理するための多様な研究が進行された.研究チームは水玉がヨンイブ表面を濡らさなながらほこりなどを洗い出す自家洗浄, 防水效果, 結氷防止などの特性を利用した. タングステン酸化物半導体ナノ船を合成した後表面を単分子膜にコーティングした. これを通じて水中に濡れないのに自家洗浄效果がある抵抗メモリー素子を開発した.
開発された技術は既存抵抗メモリー素子開発に追加的な公正なしも初発数特性を維持することができる.
竜 教授は “ナノ素子と生体模倣技術を組み合わせて半導体素子防水性を進めた”と “防水コンピューターとスマトホン開発に積極活用されることができること”と説明した.
今度研究結果は新素材分野学術誌 `オドベンスドモティリオルス`地オンライン速報で載せられた.
ユンデワンギザ yun1972@etnews.com