次はフラッシュメモリー発明者にノーベル賞だね。

JA 0 イーリアフェリス 2,811,753

2014-10-07 10:41

舛岡富士雄（ますおかふじお、1943年 5月8日 - ）は電子工学の研究者。フラッシュメモリの発明者である。

現在、日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社最高技術責任者(CTO)。Surrounding Gate Transistor（SGT）の開発を行っている。東北大学名誉教授。2007年春の褒章受章者で紫綬褒章、2013年に文化功労者が贈られている。

翻訳を見る

다음은 플래쉬 메모리 발명자에게 노벨상이구나.

천오카도미사 수컷(과부글자,1943년 5월 8일 - )은전자 공학의 연구자.플래쉬 메모리의 발명자이다.

현재, 일본 유니산티스에레크트로니크스 주식회사 최고 기술 책임자(CTO).Surrounding Gate Transistor(SGT)의 카이하츠를 실시하고 있다.토호쿠대 학명예교수.2007년 봄의포장 수상자로자수포장,2013년에문화 공로자가 주어지고 있다.

1943년 군마현 타카사키시 출신.
1962년 군마현립 타카사키 고등학교졸.
1966년 토호쿠대학 공학부 전자 공학 학과 졸업업.연구실은니시자와 쥰이치 연구실.같은 대학학 대학원 공학 연구과 전자 공학 전공 석사과정 진학.
1968년 동석사과정 수료, 동박사 후기 과정 진학.
1971년 동박사 후기 과정 수료.공학박사(토호쿠대학갑 제 1431호, 학위 논문 「반도체 유도계수에 관한 연구」).주식회사토시바에 입사.
1980년 NOR형 플래쉬 메모리를 발명.
1986년 NAND형 플래쉬 메모리를 발명.
1994년 동사 퇴사, 토호쿠대학 대학원 정보과학 연구과 교수.
1996년 토호쿠대학 전기 통신 연구소 교수.
1997년 IEEE모리스·리브만 기념상(en:IEEE Morris N. Liebmann Memorial Award) 수상[1].
2004년 일본 유니산티스에레크트로니크스 주식회사 최고 기술 책임자(CTO).
2007년 자수포장.
2013년 문화 공로자

いいね・コメントにはログインが必要です。

コメント ( 8 )