舛岡 富士雄（ますおか ふじお、1943年5月8日 - ）は電子工学の研究者。フラッシュメモリの発明者である。
現在、日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社最高技術責任者(CTO)。Surrounding Gate Transistor（SGT）の開発を行っている。東北大学名誉教授。2007年春の褒章受章者で紫綬褒章、2013年に文化功労者が贈られている。
.jpg)
.jpg)
- 1943年 群馬県高崎市出身。
- 1962年 群馬県立高崎高等学校卒。
- 1966年 東北大学工学部電子工学科卒業。研究室は西澤潤一研究室。同大学大学院工学研究科電子工学専攻修士課程進学。
- 1968年 同修士課程修了、同博士後期課程進学。
- 1971年 同博士後期課程修了。工学博士（東北大学甲第1431号、学位論文『半導体インダクタンスに関する研究』）。株式会社東芝に入社。
- 1980年 NOR型フラッシュメモリを発明。
- 1986年 NAND型フラッシュメモリを発明。
- 1994年 同社退社、東北大学大学院情報科学研究科教授。
- 1996年 東北大学電気通信研究所教授。
- 1997年 IEEEモーリス・リーブマン記念賞（en:IEEE Morris N. Liebmann Memorial Award）受賞[1]。
- 2004年 日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社最高技術責任者(CTO)。
- 2007年 紫綬褒章。
- 2013年 文化功労者