三星, 3ナノで TSMC 追い抜く

삼성전자가 초미세공정 양산 시점이나 차세대 기술 도입 분야에서 한발 앞선 것으로 평가된다.
15일 업계에 따르면 현재 10㎚(나노미터·1㎚는 10억 분의 1m) 이하 초미세공정을 적용한 제조사는 대만 TSMC와 삼성전자 단 두 곳뿐으로 모두 5나노를 양산 중이다. 다음 단계는 3나노 공정인데 삼성전자가 내년 상반기, TSMC는 내년 하반기 양산을 선언했다. 일정 차질만 없다면 적어도 3나노에서는 삼성이 세계 최초 기록을 세운다.
  2나노 공정의 핵심 기술은 트랜지스터 방식인데, 현재 기본 기술인 핀펫보다 효율성을 높인 게이트올어라운드(GAA) 방식 채택이 필수적이다. 삼성전자는 당장 내년 3나노부터 GAA를 도입하기로 한 만큼 업계에서는 조심스럽게 삼성의 우세를 점친다. 원가 경쟁력과 직결되는 수율과 품질 관리를 위해서는 오랜 경험이 필요한데 삼성전자가 경쟁사보다 1~2년 앞섰기 때문이다. 반면 TSMC나 인텔 모두 기존 핀펫 방식을 유지하다 2나노 양산 때부터 GAA로 급전환해야 하는 만큼 안착까지 여러 난관에 부딪힐 수 있다.

"삼성이 앞설 것"…세계 1위 반도체 TSMC에 쏟아진 우울한 전망

니덤은 삼성·인텔 등 반도체 주요 업체들과의 초나노 칩 경쟁에서 TSMC가 소극적으로 대응하고 있다는 점에 우려를 표했다. 경쟁사인 삼성전자가 2022년 상반기 3나노(nm) 공정을 도입할 계획인데 TSMC는 이보다 늦은 2022년 하반기 양산을 목표로 하고 있다. 
니덤의 찰스 시 애널리스트는 "삼성이 TSMC에 앞설 것"이라며 "3nm은 현재 시판 중인 제품보다 더 발전된 칩인 만큼 TSMC가 생산 일정을 앞당기지 않으면 시장 선점이 불가능하다"고 말했다.