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GaNからダイヤモンドデバイスに置き換わるだろう
佐賀大学は4月17日、究極のパワー半導体とされるダイヤモンド半導体を用いたパワー回路を開発。高速スイッチング動作ならびに190時間の連続動作を確認したことを発表した。
同成果は、同大 理工学部の嘉数誠 教授、同Saha Niloy Chandra(サハ ニロイ チャンドラ)助教、同 大石敏之 教授らによるもの。詳細は米国電気電子学会(IEEE)の「Electron Device Letters」に2本の論文として掲載される予定だという。
パワー半導体は、電子機器の活用範囲の拡大に伴い、より高効率、低消費電力、高耐圧といったニーズが高まっており、従来のシリコンベースから、SiCやGaNの活用が進められているほか、次世代のパワー半導体材料として、より高性能な酸化ガリウムやダイヤモンドの半導体としての活用研究が進められている。中でも理想的なダイヤモンドは、物理性質上、シリコン比で約5万倍の大電力効率化、約1200倍の高速特性が気体されており、その実用化に向けて国内外で研究開発が進められている。
GaN로부터 다이아몬드 디바이스에 옮겨질 것이다
사가 대학은 4월 17일, 궁극의 파워 반도체로 여겨지는 다이아몬드 반도체를 이용한 파워 회로를 개발.고속 스위칭 동작 및 190시간의 연속 동작을 확인한 것을 발표했다.
동성과는, 같은 대학 이공학부의 카카즈 마코토 교수, 동Saha Niloy Chandra(사하니로이체드라) 조교, 같은 대학석 토시유키 교수들에 의하는 것.자세한 것은 미국 전기 전자 학회(IEEE)의 「Electron Device Letters」에 2개의 논문으로서 게재될 예정이라고 한다.
파워 반도체는, 전자기기의 활용 범위의 확대에 수반해, 보다 고효율, 저소비 전력, 고내압이라고 하는 요구가 높아지고 있어 종래의 실리콘 베이스로부터, SiC나 GaN의 활용이 진행되고 있는 것 외에 차세대의 파워 반도체 재료로서보다 고성능인 산화 갈륨이나 다이아몬드의 반도체로서의 활용 연구가 진행되고 있다.그 중에서도 이상적인 다이아몬드는, 물리 성질상, 실리콘비로 약 5만배의 대전력 효율화, 약 1200배의 고속 특성이 기체 되고 있어 그 실용화를 향해서 국내외에서 연구 개발이 진행되고 있다.
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