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三星半導体の切歯腐心…次世代 2ナノチップで TSMC 追い抜く
一番作りにくい方式だが, 效率が一番良い三星の GAA 方式
すなわち, テスラも GAA 方式に魅かれたことですね w
三星電子が次世代パウンドリ競争で勝機を呼ぶために取り出しても戦略カードが ‘ゲイトオルオラウンド(GAA)’だ. 三星電子がテスラと約 23兆ウォン規模の大型受注契約を締結したことも GAA 基盤技術に対する市場信頼回復の信号弾に解釈される.
GAAは半導体トランジスターの電流通路であるチャンネルを君の面でゲートがくるむ構造だ. 既存ピンペッ(FinFET) 方式より全力漏洩を效果的に抑制することができる. 性能向上と電力效率改善を同時に期待することができる次世代トランジスター技術で, 3ナノ以下超微細公正の核心で注目されている.
삼성 반도체의 절치부심…차세대 2나노 칩에서 TSMC 제친다
가장 만들기 어려운 방식이지만, 효율이 가장 좋은 삼성의 GAA 방식
즉, 테슬라 역시 GAA 방식에 매료된 것이군요 w
삼성전자가 차세대 파운드리 경쟁에서 승기를 잡기 위해 꺼내든 전략 카드가 ‘게이트올어라운드(GAA)’다. 삼성전자가 테슬라와 약 23조원 규모의 대형 수주 계약을 체결한 것도 GAA 기반 기술에 대한 시장 신뢰 회복의 신호탄으로 해석된다.
GAA는 반도체 트랜지스터의 전류 통로인 채널을 네 면에서 게이트가 감싸는 구조다. 기존 핀펫(FinFET) 방식보다 전력 누설을 효과적으로 억제할 수 있다. 성능 향상과 전력 효율 개선을 동시에 기대할 수 있는 차세대 트랜지스터 기술로, 3나노 이하 초미세 공정의 핵심으로 주목받고 있다.
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