中国半導体会社に移しながら, 国内企業で独自的に開発した半導体核心技術を中国に引き抜いて国家競争力を深刻に毀損させた転職三星役人たちが大量で裁判に越された.
ソウル中央地検情報技術犯罪捜査部(ギムユンヨング部長検事)は三星電子役人出身 A氏など 5人を不正競争防止法違反(営業秘密国外漏洩など) 及び産業技術保護法違反(グックがヘックシムギスルグックウェヌソルなど) 疑いで拘束起訴したと 23日明らかにした.
中国創新メモリー(CXMT) 開発チーム職員など 5人も同じな疑いで非拘束起訴された.
CXMTは中国地方政府及び中国半導体設計会社出資して 2016年設立した中国最初の Dラム半導体会社だ.
CXMTは韓国半導体業社で連れて行った人々を通じて引き抜いた韓国の核心半導体技術を手に入れたし, 結局 2023年中国最初と同時に世界で 4番目に 10ナノ台 Dラム梁山に成功した.
韓国としては数十兆ウォンに達することができる国家的資産を ‘産業売国奴’を通じてそっくりそのまま中国に抜いたことは体たらくになった.
検察によれば CXMTは設立直後三星電子部長出身 Aさんを開発室長に迎入した.
Aさんは三星電子読者技術だった 10ナノ台 Dラム公正技術を持って来ようと公正別核心人力迎入に出た.
偽装会社を作って周期的に事務室を変更して, 出国禁止・逮捕に備えた暗号を作るなど緻密に動いた.
が過程で三星電子の研究員だった Bさんが Dラム公正の核心である PRP(Process Recipe Plan) 情報を自筆で引き写して少なくて CXMTに離職したし, CXMTは当時世界唯一の 10ナノ台 Dラム公正技術を丸ごと確保することができた.
三星電子役人たちを追加に迎入した CXMTは本格的な Dラム開発に取り掛かったし, 開発過程で協力業社を通じて SKハイニクスの半導体公正関連技術まで追加に確保した.
----はっと, 文書持って行く事ができなく完璧に保安したが公正情報を皆自筆で書いたな