三星が 3D半導体を開発した. 可哀相なLPだ

세계 최대 반도체 회사인 미국 인텔이 종전 2D(평면)와는 전혀 다른 3D(3차원)구조의 새 트랜지스터를 앞세워 모바일기기용 반도체를 연내 양산하겠다고 밝혀 3D반도체를 놓고 삼성과의 뜨거운 한판 전쟁을 예고하고 있다.

현지시간으로 4일 인텔은 차세대 반도체인 "아이비 브리지"에 적용할 3차원 구조의 새로운 트랜지스터 설계기술인 "트라이게이트(tri-gate)"를 전격 공개했다.

기존 트랜지스터는 반도체 원판인 실리콘 기판 위에 인쇄를 하듯이 만드는 2차원 구조였다. 이 경우 미세공정화가 진행될수록 동일한 면적에 많은 회로를 넣어야 하기 때문에 상호간섭이 발생할 가능성이 높은 우려가 있다.

그러나 인텔의 트라이게이트는 기판 위에 정육면체 형태로 세우는 3차원 입체 구조를 갖췄다.

인텔은 이 방법을 이용하면 기존 칩 제조 때에 비해 전력소비량을 절반가량 줄일 수 있고 반도체 회로 간격을 더 좁힐 수 있어 집적도가 높은 대용량 칩을 쉽게 만들 수 있다고 설명했다.

그러나 삼성전자 도 이미 3D 반도체 개발을 완료하고 양산 시점을 조율하고 있다.

작년 12월 삼성전자는 메모리 용량을 크게 늘릴 수 있는 3D-TSV(Through Silicon Via)기술을 적용한 8GB(기가바이트) DDR3(Double Data Rate 3) DRAM모듈을 개발했다.

삼성전자는 40나노급 2Gb(기가비트) DDR3 D램을 3D-TSV 기술로 2개 적층한 칩(4Gb)을 탑재해 8GB DDR3 RDIMM(Registered Dual Inline Memory Module) 제품으로 개발했으며, 지난 10월 고객사 서버에 장착해 제품 성능 테스트를 완료했다.

3D-TSV 기술을 적용한 제품 개발 사례는 있었지만 이를 상용화 수준까지 완료한 것은 삼성전자가 최초다.

http://media.daum.net/digital/view.html?cateid=1038&newsid=20110505193809447&p=akn

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엘피다가 아무리 따라 잡으려고 해도 삼성은 정말 넘을수 없는 벽이네요.

삼성>>>벽>>>>엘피다

불쌍한 엘피다