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그래핀 쉽게 만드는 기술 개발

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그래핀 쉽게 만드는 기술 개발

디지털타임스| 기사입력 2012-02-01 21:33 기사원문

UNIST 권순용 교수팀, 기존 `전사"단계 안거치고 저온서 직접 합성

차세대 반도체ㆍ디스플레이 소재로 기대되는 그래핀을 지금보다 훨씬 손쉽게 만드는 기술이 국내 연구진에 의해 개발됐다. 1000℃ 이상의 고온이 동원되고, 합성한 그래핀을 원하는 기판에 옮기는 `전사" 단계가 필요한 기존 기술과 달리, 200℃ 이내에서 원하는 기판에 직접 만들 수 있는 게 특징이다.

울산과기대(UNIST) 권순용 교수(기계신소재공학부ㆍ사진)와 곽진성 박사과정생, 김성엽ㆍ박기복 교수 연구팀은 서울대 김영운ㆍ윤의준 교수, 미 UCLA 수닐 코담바카 교수팀과 공동연구를 통해 금속, 플라스틱, 유리 등 다양한 기판 위에 그래핀을 직접 합성하는 기술을 개발했다고 1일 밝혔다.

현재 선보인 대면적 그래핀 합성기술인 화학기상증착법(CVD)은 1000℃에서 금속기판 위에 그래핀을 합성한 후 원하는 기판으로 옮기는 전사작업이 필요하다. 대부분 반도체 공정은 400℃ 이하에서 이뤄져 반도체 연속공정에 포함시키기 힘들고, 그래핀을 기판에 옮기는 과정에서 찢어지거나 구겨지는 손상문제가 있었다.

연구팀은 저온에서 탄소원자가 스스로 금속표면 위에서 퍼지고 그래핀 구조를 이루는 현상을 이용, 새로운 기법인 `확산이용합성법(DAS)"을 고안했다. 산화실리콘이나 유리, 플라스틱 기판 위에 니켈박막을 씌운 후 탄소원자 가루를 발라주고, 아르곤가스나 일반 대기환경에서 160∼200℃의 온도를 가하면 니켈박막을 이룬 결정립(결정덩어리)의 틈새로 탄소원자들이 들어가 결과적으로 기판과 니켈박막 사이에 탄소원자 한 개층 두께의 그래핀을 자동으로 만든다. 그 후 탄소가루와 니켈을 제거하면 기판상의 그래핀만 남는다.

연구팀은 특히 그래핀과 니켈 결정립 모양이 유사하게 형성되는 만큼, 니켈 결정립을 조절함으로써 그래핀 결정립 크기를 제어할 수 있다는 힌트를 얻었다. 원자가 한 방향으로 나란히 배열된 단결정 그래핀은 강철보다 200배 이상 강하고, 구리보다 100배 이상 전기전도도가 높지만 현재 인공적으로 만드는 그래핀은 무수한 결정립으로 돼 있고, 결정립 사이에 틈이 있어서 강도와 전기전도도 등이 크게 떨어진다. 그래서 결정립을 키우는 게 그래핀 성능 개선의 핵심 이슈이자 난제다.

권순용 교수는 "이번 연구에서는 니켈을 상온에서 기판에 증착했지만 고온증착 기술을 도입하면 결정립 크기를 수십배 이상 키울 수 있을 것으로 보고 이미 관련 장비를 도입했다"며 "현재는 기존 방식보다 결정립 크기가 작아 전기전도도 등이 떨어지지만 곧 극복할 수 있을 것"이라고 밝혔다.

이 연구는 교육과학기술부와 한국연구재단의 지원 하에 이뤄졌으며, 연구결과는 세계적인 과학전문지 `네이처"의 자매지인 `네이처 커뮤니케이션스" 1월 24일자에 게재됐다.

안경애기자 naturean@
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そうピン易しくする技術開発

そうピン易しくする技術開発

デジタルタイムス| 記事入力 2012-02-01 21:33 記事原文
src=http://imgnews.naver.com/image/029/2012/02/01/2012020202011657650003.jpg
UNIST グォンスンヨング教授チーム, 既存 `戦死¥"段階経らなくて低温で直接合成

次世代半導体・ディスプレー素材で期待されるそうピンを今よりずっと手軽くする技術が国内研究陣によって開発された. 1000℃ 以上の高温が動員されて, 合成したそうピンを願う基板に移す `戦死¥" 段階が必要な既存技術と違い, 200℃ 以内で願う基板に直接作ることができるのが特徴だ.

蔚山科学技術大(UNIST) グォンスンヨング教授(機械新素材工学部・写真)とグァックジンソング博士課程生, ギムソングヨブ・朴起伏教授研究チームはソウル大金嶺雲・ユンウィズン教授, 米 UCLA スンニをコダムバカ教授チームと共同研究を通じて金属, プラスチック, 硝子など多様な基板の上にそうピンを直接合成する技術を開発したと 1日明らかにした.

現在お目見えした対面的そうピン合成技術である化学気象蒸着法(CVD)は 1000℃で金属基板上にそうピンを合成した後願う基板で移す戦死作業が必要だ. 大部分半導体公正は 400℃ 以下で成り立って半導体連続公正に含ませにくくて, そうピンを基板に移す過程で破れるとかしわくちゃになる損傷問題があった.

研究チームは低温で炭素原子が自ら金属表なら上で広がってそうピン構造を成す現象を利用, 新しい技法である `拡散利用合成法(DAS)¥"を考案した. 酸化シリコーンや硝子, プラスチック基板の上にニッケル薄膜を着せた後炭素原子パウダーを塗ってくれて, アルゴンガスや一般大気環境で 160〜200℃の温度を加えればニッケル薄膜を成した結晶粒(決定固まり)の隙間で炭素原子たちが入って行って結果的に基板とニッケル薄膜の間に炭素原子一ケ階厚さのそうピンを自動で作る. その後炭素パウダーとニッケルをとり除けば基板上のそうピンだけ残る.

研究チームは特にそうピンとニッケル結晶粒模様が似たり寄ったりに形成される位, ニッケル結晶粒を調節することでそうピン結晶粒大きさを制御することができるというヒントを得た. 原子価一方向に並んで配列された単結晶そうピンは鋼鉄より 200倍以上強くて, あかがねより 100倍以上電気伝導島が高いが現在人工的に作るそうピンは限りない結晶粒になっていて, 結晶粒の間に振ることがあって強度と電気伝導もなどが大きく落ちる. それで結晶粒を育てるのがそうピン性能改善の核心イシューと同時に難題だ.

グォンスンヨング教授は今度研究ではニッケルを常温で基板に蒸着したが高温蒸着技術を取り入れれば結晶粒大きさを数十盃以上育てることができることで見てもう関連装備を取り入れたと現在は既存方式より結晶粒大きさが小さくて電気伝導も背中が落ちるがすぐ乗り越えることができると明らかにした.

が研究は教育科学技術部と韓国研究財団のサポートのもとに成り立ったし, 研究結果は世界的な科学クラスメディア `ネイチャー¥"の姉妹紙である `ネイチャーコミュニケイションス¥" 1月 24日付けに載せられた.

めがね赤ちゃん者 naturean@

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