.삼성전자가 차세대 메모리 반도체 시장에서 8단 실리콘관통전극(TSV) 기술을 처음 D램에 적용한 DDR5로 초격차를 이어간다. 10㎚(나노미터·10억분의 1m)급 공정과 극자외선(EUV) 기술이 적용되는 DDR5는 데이터센터 등에 활용될 것으로 보인다.
삼성전자는 최근 반도체 학회에서 8단 TSV 기술이 적용된 512GB(기가바이트) DDR5 메모리 기술을 공개하고, 내년 본격적인 양산에 들어간다고 밝혔다..삼성전자에 따르면 512GB DDR5는 최대 7200Mbps(초당메가비트)의 전송속도로, DDR4 대비 성능은 1.4배, 속도는 2.2배, 용량은 2배 향상됐으나, 소비전력은 8% 줄었다. 1초에 30GB 용량의 4K UHD(3840×2160) 영화 2편을 처리할 수 있다. 용량과 전송 속도 모두 업계 최고 수준이다.
.빠른 처리속도와 성능, 대용량 등으로 인공지능(AI)나 딥러닝처럼 빅데이터를 요구하는 기술이나 5세대 이동통신(5G)을 활용한 자율주행, 사물인터넷(IoT)과 같은 기술과 접목돼 확대될 것으로 여겨지고 있다. 이런 기술을 제대로 구현하려면 빠르고 효율적으로 대용량의 데이터를 처리할 수 있는 메모리가 필요한데 현재의 DDR4로는 어렵고, DDR5에서는 가능하다는 것이다.
차세대 메모리 DDR5 가격, "DDR4보다 30% 비싸다"
.트렌스포스는 DDR5가 내년에는 주로 상용 PC에, 2023년부터는 소비자용 PC로 확산할 것으로 봤다. 또 다른 시장조사업체 옴디아는 DDR5 수요에 대해 내년 전체 D램 시장의 10%, 2024년 43%로 확대될 것이라고 예상했다.
