1천배 빠른 메모리 소자 개발한 연구진
| 기사입력 2011-03-02 01:00

【서울=뉴시스】김훈기 기자 = 기존 플래시 메모리보다 저장과 삭제 속도가 1000배 이상 빠른 차세대 메모리 소자를 국내 연구진이 세계 최초로 개발했다.
건국대학교는 2일 물리학부 양자상소자전공 이상욱 교수팀과 서울대 박영우 교수팀이 탄소나노튜브와 마이크로 전기역학 시스템 기반의 저전력-초고속 비휘발성 메모리 소자를 세계 최초로 개발했다고 밝혔다.
왼쪽부터 이상욱 교수, 박영우 교수, 건국대 초빙 WCU 해외석학인 엘레노어 캠벨 영국 에든버러대 교수. (사진 = 건국대 제공) / photo@newsis.com