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`フラッシュ` 取り替える遺棄メモリー初開発

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`플래시` 대체할 유기메모리 첫 개발
플래시메모리를 대체할 차세대성장동력으로 꼽히는 테라비트급 비휘발성 유기메모리(Po램) 셀이 국내 연구진에 의해 개발됐다.

한양대 박재근 전자컴퓨터공학부 교수는 전도성 유기물 박막 내 니켈나노크리스털을 장착한 다중층 셀을 개발하는 데 성공했다고 9일 발표했다. 이번 연구결과는 나노 분야 권위지인 "나노 레터스" 9일자에 게재됐으며 관련 원천특허기술 4건은 국내 및 미국 일본 등에 출원됐으며 1건은 국내에서 등록됐다.

현재 각광받고 있는 플래시메모리는 다양한 모바일 제품 등에 사용되고 있는데 데이터 저장시간이 길어 정보의 임의 접근성이 떨어진다는 단점을 갖고 있다. 그러나 Po램은 전도성 유기물 내 나노입자를 장착한 금속-유기물-금속 단순 구조로 구성된 메모리 소자로 집적도가 매우 뛰어나고 고속 동작 및 다중 비트 메모리 동작이 가능하다. 가장 적은 면적에 집적시켜 메모리 셀을 구현할 수 있는 차세대 테라비트급 소자라고 할 수 있다. 테라비트는 1조 비트에 해당하는 정보량으로 동전 크기에 CD 1500장 이상의 정보를 저장할 수 있다.

Po램은 플래시메모리를 대체할 뿐만 아니라 인공지능 CPU, 플렉시블 반도체, 초고속 반도체, 디지털TV, 디지털 캠코더, 휴대전화 등에 다양하게 활용될 것으로 예상된다.

삼성전자와 하이닉스반도체 등 국내 반도체업체들은 상용화 목표시점인 2015년 24억달러 이상 매출을 올릴 것으로 기대하고 있다.

박 교수는 "개발 메모리는 10만초 이상의 정보저장 시간과 1000회 이상의 읽기 쓰기 반복이 가능하다는 것을 밝혀냄으로써 상용화 가능성도 커졌다"고 말했다.
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`플래시` 대체할 유기메모리 첫 개발

`플래시` 대체할 유기메모리 첫 개발
플래시메모리를 대체할 차세대성장동력으로 꼽히는 테라비트급 비휘발성 유기메모리(Po램) 셀이 국내 연구진에 의해 개발됐다.

한양대 박재근 전자컴퓨터공학부 교수는 전도성 유기물 박막 내 니켈나노크리스털을 장착한 다중층 셀을 개발하는 데 성공했다고 9일 발표했다. 이번 연구결과는 나노 분야 권위지인 "나노 레터스" 9일자에 게재됐으며 관련 원천특허기술 4건은 국내 및 미국 일본 등에 출원됐으며 1건은 국내에서 등록됐다.

현재 각광받고 있는 플래시메모리는 다양한 모바일 제품 등에 사용되고 있는데 데이터 저장시간이 길어 정보의 임의 접근성이 떨어진다는 단점을 갖고 있다. 그러나 Po램은 전도성 유기물 내 나노입자를 장착한 금속-유기물-금속 단순 구조로 구성된 메모리 소자로 집적도가 매우 뛰어나고 고속 동작 및 다중 비트 메모리 동작이 가능하다. 가장 적은 면적에 집적시켜 메모리 셀을 구현할 수 있는 차세대 테라비트급 소자라고 할 수 있다. 테라비트는 1조 비트에 해당하는 정보량으로 동전 크기에 CD 1500장 이상의 정보를 저장할 수 있다.

Po램은 플래시메모리를 대체할 뿐만 아니라 인공지능 CPU, 플렉시블 반도체, 초고속 반도체, 디지털TV, 디지털 캠코더, 휴대전화 등에 다양하게 활용될 것으로 예상된다.

삼성전자와 하이닉스반도체 등 국내 반도체업체들은 상용화 목표시점인 2015년 24억달러 이상 매출을 올릴 것으로 기대하고 있다.

박 교수는 "개발 메모리는 10만초 이상의 정보저장 시간과 1000회 이상의 읽기 쓰기 반복이 가능하다는 것을 밝혀냄으로써 상용화 가능성도 커졌다"고 말했다.

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