[단독]삼성전자 20 나노급 D램

 

개발 완료 …¥"8월말량산중량감 ¥"

입력 2011-05-03 18:36 수정 2011-05-03 20:55

【 엥코먼트 】
일본의 LP에 25 나노 D램을 개발한 것과 알려진 안에 이번은 삼성전자가 20 나노급 D램 개발에 성공해 빠르면 8월말량산에 들어갑니다.
이런 (뜻)이유로 삼성전자는 한번 더 세계 경쟁으로 먼저 진행되어 가게 되었습니다.
강호형 기자가 단독 보도합니다.


【 기자 】
삼성전자가 이제(벌써) 금년처음에 20 나노급 D램 개발을 완료했고 빠른 하반기에 량산에 들어가면 업계 관계자가 분명히 했습니다.

전문가들은 ¥"빠른 하반기 ¥"라고 하면 8월말량산이 되면 무게를 더했습니다.

이것에 의해서 삼성전자가 초미세 공정한 반도체 개발 경쟁에 한번 더 세계 시장을 주도하게 되었습니다.

D램은 컴퓨터와 스마트혼 등에 없으면 안 되는 핵심 부품으로 메인 메모리로 사용됩니다.

현재 삼성전자와 하이니크스는 각각 35 나노 D램과 38 나노 D램을 양산하고 있어이번 개발과 량산은 본격적인 20 나노급 D램 시대 개막을 의미합니다.

성능으로 계산하면 적어도 30% 이상 높아진 것으로 보존 공간에서 계산하면 같은 공간에 1 기가를 보존한 것을 1.3 기가를 보존할 수 있게 되었습니다.

다시 또 와 많은 메모리를 보존할 수 있게 되는에 의해서 가격 경쟁력도 발생하는 것으로 전망됩니다.

한편, 일본의 반도체 생산 기업 에르피다는 오늘(3일) 일본 경제 신문을 통해서 25 나노 D람게바르원료를 분명히 했습니다.

그러나, 국내 반도체 업계에서는 개발 가부에 대해서 반 믿어 반 의심하는 모습입니다.

30 나노급을 뛰어넘어 20 나노급을 개발하는 것은 불가능하다고 하는 설명입니다.

실제로 에르피다는 지난 2009년 40 나노급 D램량산과 금년의 첫 30 나노급 D램 생산계획을 발표했지만, 실행으로 옮길 수 없습니다.

MBN 뉴스 강호형입니다. [blueghh@mbn.co.kr]

 

http://mbn.mk.co.kr/pages/news/newsView.php?category=mbn00003&news_seq_no=1056709

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이전, 40 nm때던가？　「40 nm급」라고 발표해 49 nm(이었)다고 일이 있었지.＾＾　

현재의 삼성의 양산 프로세스는, 35nm.

그리고30% 면적이 작아진 것이라면, √0.7 * 35 nm=29 nm군요.

이번 20 nm급은, 29 nm라고 하는 것이군요.

기사중에 삼성은 35 nm, 하이니크스는 38 nm로 양산중과의 일입니다만,

에르피다는 30 nm로 양산중입니다.

소스.최첨단 30 nm프로세스 DRAM의 본격 양산을 개시
http://www.elpida.com/ja/news/2011/04-27.html

그 말은 ・・・.

에르피다 25 nm(7월)
삼성 29 nm【20 nm급】(8월)
에르피다 30 nm(양산중)
삼성 35 nm(양산중)
하이니크스 38 nm(양산중)

이렇게 말하는 것이군요.

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