嘘ついたLPだ 25ナノ級 7月量産するといったらサンプルさえ顧客社に伝達の中して
世界 3位のメモリー半導体業社である日本 LPだが去る 5月 7月から回路線幅(間隔)を 25ナノメートル(1ナノメートルは 10億分の 1メートル)まで減らした Dラム半導体を世界最初に量産すると広言したが結局見栄(虚勢)で現われた. ¥"19年ぶりの韓・日半導体技術再逆転¥"と言いながらホドルガブを落とした日本言論も静かになった. 日本は 1980年代メモリー半導体市場を周到だ 1992年三星電子が世界最初で 64メガ Dラムを開発した以来新技術開発とマーケットーシェアでずっと韓国に立ち後れている.
◆25ナノ級半導体量産するといったら…黙るLPだ
が会社は去る 5月報道資料とホームページを通じて (25ナノメートル Dラムを) 7月から量産すると明らかにした. 当時日本言論たちは韓国業社に奪われた半導体主導権を 19年ぶりに取り戻すきっかけになると興奮した.
業界ではLPに年末まで 25ナノ級製品を量産しにくいとの懐疑的視覚が支配的だ. 半導体業社は新しい製品開発に成功すれば必ず主要顧客社にサンプルを送る. 製品に使った時無理なく作動するのか試験が必要だからだ. 顧客社がテスト後 ¥"OK¥" サインを送れば初めて本格的な梁山が始まる. サンプル試験期間は普通 2‾4ヶ月がかかる.
イ・スンウ信栄証券アナリストはサンプルテストなど日程を勘案すればLPに年内梁山に成功するかも不透明だと言った. 外信たちはむしろ Dラム価格急落を耐えてできなかったLPに一時的に 20% ほど減算に出る計画だと報道した.
◆韓・日技術格差 1年維持されるよう
LPに公式発表した梁山計画が守る事ができなかったことは今度が初めではない. エルピダは 2009年と去年にもそれぞれ 40ナノメートル Dラムと 30ナノメートル Dラム梁山計画を発表しておいて日程を合わせることができなかった. 特に 30ナノメートル製品の場合発表時点より 1年が去る最近には梁山に入ったことと知られた. このために権五賢三星電子社長は去る 5月LP多義 25ナノ開発足切符を聞いてからも (事実なのか) もうちょっと時間をかけて見なければならないと言及した.
エルピダは三星電子より 1ニョンがリャング技術が劣る. 最近エルピダを訪問した金壮熱 ミレエセッ証券 アナリストは 6月から 30ナノメートル Dラム梁山を拡大する段階であり, これさえ 8月末‾9月初から本格化されると言った. 三星電子はもう去年 7月 30ナノメートル Dラム梁山を始めた.
電子業界はLPに資金調逹のために誇張された発表をしたことに観測する. 2分期連続赤字を出したエルピダは去る 12日新公正投資名目で 797億円(約 1兆ウォン)の資金調逹計画を発表した.
しかし油断は禁物だと専門家たちは指摘する. LPに大規模資金調逹に成功する場合国内企業等も ¥"苦難の行軍¥"がつながる可能性が大きいというのだ. 電子業界ある関係者は 1兆ウォンに達する金額を集めればエルピダは借入金を返すよりは攻撃的に投資に浴びせる可能性が大きいと半導体業界の供給過剰が易しく消えないと予測した.
〓Dラム
PCに一般的に使われるメモリー半導体の一種. 三星電子, ハイニクス, 日本LPにマーケットーシェア 1, 2, 3位を占めている. 内部回路の線幅(間隔)を減らせば生産效率が上がるから各業社ごとに回路線幅を減らすための技術競争が熾烈だ. 現在 30ナノメートル(1ナノメートルは 10億分の 1メートル)級製品まで生じているし, 下半期の中で三星電子, ハイニクスなどが 20ナノメートル級製品を量産する予定だ.

