エルピーダ 25nm 4Gbit　12月から量産

에르피다, 4 기가비트의 DRAM 개발 삼성을 한 걸음 리드
2011.9.22 18:21
　에르피다메모리는 22일, PC 전용등의 기억용 반도체「DRAM」로,회로 선폭이 최소 클래스의 25 나노(나노는 10억분의 1) 미터로서는 세계 최초가 되는 기억용량 4 기가(기가는 10억) 비트의 제품 개발에 성공했다고 발표했다.

　미세화에 의해, 1매의 웨퍼로부터 취할 수 있는 DRAM의 수가 종래품보다 약 45％증가.소비 전력도 동작시에 25 ～30％, 대기 전력도 30 ～50％저감 했다.12월부터 양산을 개시해, 타블렛 단말이나 차세대 노트 PC 전용으로 판다.

　동사는 회로 선폭 25나노미터 제품으로서 8월부터 2 기가비트품을 샘플 출하 하고 있어, 한층 더 대용량의 신제품으로 쉐어 확대를 노릴 생각이다.

　한편, DRAM 세계 선두의 한국 삼성 전자도 같은 날,9월중에 20나노미터급의 2 기가비트 DRAM의 양산을 개시한다고 발표했다.단지, 회로 선폭의 구체적인 수치는 분명하게는 하고 있지 않고, 「선폭은 에르피다와 동등」(업계 관계자)라는 소리도 있다.4 기가비트품의 개발 성공에 의해서, 에르피다는 최대의 라이벌에 한 걸음 선행한 모양이다.

http://sankei.jp.msn.com/economy/news/110922/biz11092218230029-n1.htm

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최첨단의 팁은 모바일 기기에 쌓아지는데 삼성의 환상의 20 nm급은 2Gbit.
에르피다의 실재하는 25 nm는 4Gbit.
경박 단소가 매도의 모바일 기기에 에르피다라면 1매의 팁으로 끝나는 곳을
삼성이라면 2 매승 다투는 nika??

양산해 실물이 돈을 내면 살 수 있는 상태인데 20 nm급은 뭐야？
이러한 제설은 후술 하지만 가장 미세화가 진행된 설에서는 25 nm라고 하는 것이 있다.
이 기사에서도 동등이라고 써 있는군.

삼성이 정말로 25nm　2 Gbit품의 양산을 성공하고 있었다고 해도 2개월 후에
에르피다가 25nm 4 Gbit품을 낸다면 삼성이 미러클을 완수했다고 해도 제품 개발 경쟁에 패배하게 된다.
경박 단소의 모바일 기기에 1매 실을까 2매 실을까 어느 쪽이 좋은가는 바보같아도 안다.

또, 에르피다의 1매의 웨퍼로부터 얻는 수가 약45% 개선은, 30 nm에서 25 nm로 계산이 맞는다.
덧붙여서 지금의 삼성은 최신이 35nm.
35 nm로부터 다음에 진행하지 않는다고 되면 주가적으로도 마지막이므로 거짓말에서도 할 수 있었다고 하지 않으면 안 된다.

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개발 완료 …¥"8월말량산중량감 ¥"　2011/5/3
http://mbn.mk.co.kr/pages/news/newsView.php?category=mbn00003&news_seq_no=1056709
8월말 양산 예정으로30%이상보존성이 올라 지금까지의 1.3배보존할 수 있다라는 것.
여기로부터 계산하면, 35 nm로부터29nm라고 하는 것이 된다.

삼성 전자, 세계 최초의 20 나노급 DRAM 양산 2011/9/22
http://www.chosunonline.com/news/20110922000006
이쪽은40%이상향상과 있다.웨퍼로부터 얻는 팁이 증가하면 있다.
동라인에서는 PC용 DRAM나 스마트 폰 등 모바일 기기용의 NAND형 플래쉬 메모리를 생산한다고 하는.
여기로부터 계산하면, 35 nm로부터27nm라고 하는 것이 된다.

삼성이 20 나노급 메모리 팁 양산을 개시, 라이벌에 타격이나［서울　22일 로이터］　 2011/9/22
http://jp.reuters.com/article/companyNews/idJPJAPAN-23303820110922
제조 코스트약50% 개선으로 NAND형 플래시를 주로 생산한다.
플래시를 만들지 않은 에르피다메모리에 타격이라든지 써 있지만 어떤 일？
어째서 플래시？20 nm급 플래시 생산 개시는 작년 선언하고 있지 않았다？
여기로부터 계산하면, 35 nm로부터25nm라고 하는 것이 된다.


세계 최초 20 나노 D램 양산한 삼성전자, 일본과 기술 격차 더 열어 독주 예고
http://www.kjclub.com/jp/exchange/theme/read.php?tname=exc_board_64&uid=6383&fid=6383&thread=1000000&idx=1&page=1&number=5591
「20 나노급을 양산해 경쟁업사부터 40%만큼 저가에 D램 반도체를 출시 할 수 있게 되었다.」　
여기로부터 계산하면, 에르피다 30 nm라는 비교로23nm라고 하는 것이 된다.

2011/05/05　29nm
2011/09/22　27nm
2011/09/22　25nm
2011/09/26　23nm

굉장한 프로세스 기술의 진화군요！

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NAND형 플래시

토시바 19nm (2011년 3Q(7-9달) 양산 예정)

삼성 27nm(2011년 1Q(1-3달) 양산) 2010년 4월은 거짓말

하이 닉스 26nm 2010년 8월은 거짓말로 아직도 출하하고 있지 않다.



DRAM

에르피다 25nm 4 Gbit(2011년 12월부터 양산 출하 예정)

에르피다 25nm 2 Gbit(2011년 7월부터 샘플 출하)

삼성 20 nm급 2Gbit(2011년 9월중에 양산??)

에르피다 30 nm(2011년 1월부터 출하・5월 양산)

삼성 35 nm(양산중) 25 nm의196%의 크기

하이니크스 38 nm(양산중) 25 nm의231%의 크기


LCD

샤프 제 10세대 양산중

삼성 제 8세대 양산중(한국 경제 신문2011/08/30보도, 8할 감산 예정)

삼성 전자, 텔레비젼용 액정 파넬을 8할 감산에=한국지

http://jp.reuters.com/article/businessNews/idJPJAPAN-22940120110830

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Apple라고 싸움하고, 다른 사람에게 제품력으로 져 잃은 것리스트.

CPU=대만의 TSMC

DRAM=에르피다 (최신 25nm? or 1개전의 30nm / 조선은 35nm)

NAND형 플래시=토시바 (19nm? / 조선은 27nm)

LCD=Apple가 샤프의 액정 공장에 대규모 투자

특허분쟁으로의 패배에 의해 독일에서의 판매 정지.
8월에는 EU전역으로의 판매 정지의 판결이 나와 있다.
미・날・한국・독일・난초・호주 등 9개국・12 재판소에서 혐한류열풍！

일단, 말하지만Apple는 세계의 Flash 메모리의 반을 사고 있는극상의 손님이에요 w
http://www.chosunonline.com/news/20110820000003

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