ヤングソングザビムでナノ素子製作技術開発

양성자빔으로 나노소자 제작기술 개발 2009-06-02 11:01:00  ▲ 하이브리드형 상보성 나노소자 논리회로에 양성자 빔을 조사하는 모식도국내 연구진이 양성자빔을 이용, 나노소자 논리회로를 제작하는 기술을 개발했다.

광주과학기술원(GIST) 이탁희 교수팀은 양성자빔으로 나노소자의 구동전압을 선택적으로 제어해 ‘하이브리드형 상보성 나노소자 논리회로’를 개발하는데 성공했다고 2일 밝혔다.

기존 반도체 소자는 더이상 소형화와 고집적화하기 힘들다는 한계에 봉착했다. 최근 연구자들은 대안으로 나노소재를 이용한 전자소자 및 논리회로를 개발하려는 연구를 진행중이다. 하지만 기존 실리콘 반도체 소자에 비해 나노 소자는 전기적 특성을 제어하기 어렵다는 문제가 있었다.

연구진은 이 연구에서 그동안 의료분야나 입자물리, 우주기술분야 등에서 쓰이던 양성자 빔을 이용했다.

n형 반도체인 ‘산화아연(ZnO) 나노와이어’와 p형 반도체인 ‘탄소나노튜브’로 만든 ‘하이브리드형 상보성 논리회로’의 구동전압을 양성자 빔을 이용해 선택적으로 조절한 것. 연구진은 이 기술로 인버터(Inverter), 노어(NOR), 낸드(NAND) 등 고성능, 저전압 특성을 갖는 다양한 나노소자 논리회로를 만들었다.

이탁희 교수는 “이 기술은 별도의 상보성 도핑 공정이나 추가적인 장치 없이 나노소자 논리회로를 구현한 것에 의미가 있다”면서 “차세대 반도체 소자기술로 활용될 전망”이라고 말했다.

이 연구성과는 오는 5일 ‘어드밴스드 머티리얼스(Advanced Materials)’에 표지논문으로 게재될 예정이다.

/economist@fnnews.com이재원기자


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