韓国、散々偉そうなことを言っていたのに結局最新の半導体を作るために日本の製造設備を導入する
サムスン電子、第10世代のNAND型フラッシュメモリの量産に日本のエッチング装置を新規導入
サムスン電子が400段台の第10世代NAND型フラッシュメモリの量産に、日本の東京エレクトロンの極低温エッチング装備の導入を計画していることが分かった。サムスン電子は、前世代の第8世代（236段）と第9世代（286段）のNAND型フラッシュメモリの先端極低温エッチング工程ではアメリカ・ラムリサーチ社の装備だけを使用してきた。NAND型フラッシュメモリ1位のサムスン電子の極低温エッチング装備のサプライチェーンに東京エレクトロンが新規参入することになるため、ラムリサーチ社の独走体制に亀裂が生じるものとみられる。
24日、業界によると、今年サムスン電子は第10世代のフラッシュメモリの量産の準備を終える計画だという。この過程でサムスン電子は、東京エレクトロンの極低温エッチング装備を新規導入する方針であることが分かった。サムスン電子の関係者は「第8世代と第9世代はラムリサーチ社の低温・極低温エッチング装備を活用してきたが、第10世代からは東京エレクトロンの装備も活用する計画」と述べた。
エッチングは半導体ウェハーに回路を刻んだ後、不要な物質を除去する工程のことで、NAND型フラッシュメモリを製造する上で重要な技術の一つだ。
（中略）
サムスン電子は、第10世代NANDの量産からラムリサーチ社への依存度を下げることで、コストの削減や先端装備のサプライチェーンの安定化を図るものと見られる。半導体ディスプレイ技術学会のカン・ソンチョル研究委員は「メモリー半導体企業の立場では、特定の装備企業への依存度が過度に高くなることは負担になるしかない」とし、「東京エレクトロンが必要な技術力さえ備えれば、コストの削減だけでなくサプライチェーンの安定化の側面でも役に立つだろう」と述べた。
（後略）
サムスン電子が業界で初めて量産したクアッドレベルセル（QLC）第9世代VNAND製品
