三星電子, 40 ナノ DDR3 DRAM 世界最初梁山
【ソウル 21日連合ニュース】三星電子が今月末から, 40ナノメートルクラスのプロセスを採用した 2 ギガビット(Gb)の次世代半導体, DDR3 DRAMの本格梁山を世界に先駆け開始する.1月に 40 ナノ級 DRAMを開発してから半年に梁山体制に入って行くようになる.
三星電子が 21日に確かにしたことによれば, 40 ナノ級 DDR3 DRAMは, 去年 9月に動詞が世界で初めに量産を開始した 50 ナノ級製品に比べて生産性が 6割位高い.1.35ボルトの動作電圧にもかかわらず, 既存の 1.5ボルト製品より約 2割早い 1.6 Gbpsのデータ処理速度を可能にした.いっそうもっと全力消耗も既存の DDR2 DRAMより小さななど, エネルギー節約性能も上がった.
三星電子は DDR3 市場を拡大するため, サーバー用 16ギガバイト(GB), 8 GBモジュール(RDIMM), ワークステーション, デスクトップパソコンヨング 4 GBモジュール(UDIMM), ノートパソコンヨング 4 GBモジュール(SODIMM) など, 大容量のメモリーモジュールを主力製品として供給する計画だ.
専門調査会社の子供社フライによれば, DDR3 DRAMがビート基準で DRAM 市場全体に占める割合は, 今年の 20%で 2012年には 82%に級拡大することと予想されている/`B
http://headlines.yahoo.co.jp/hl?a=20090721-00000039-yonh-kr
三星は優秀な頭脳が集まっているね
日本企業は東面中か, 家事状態か?
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