三星電子, 40 ナノ DDR3　世界最初梁山

삼성 전자, 40 나노 DDR3　DRAM 세계 최초 양산

【소울 21일 연합 뉴스】삼성 전자가 이달 말부터, 40나노미터 클래스의 프로세스를 채용한 2 기가비트(Gb)의 차세대 반도체, DDR3　DRAM의 본격 양산을 세계에 선구 개시한다.1월에 40 나노급 DRAM를 개발하고 나서 반년에 양산 체제에 들어가게 된다.
　삼성 전자가 21일에 분명히 한바에 의하면, 40 나노급 DDR3　DRAM는, 작년 9월에 동사가 세계에서 처음으로 양산을 개시한 50 나노급 제품에 비해 생산성이 6할 정도 높다.1.35볼트의 동작 전압에도 불구하고, 기존의 1.5볼트 제품보다 약 2할 빠른 1.6 Gbps의 데이터 처리 속도를 가능으로 했다.한층 더 전력 소모도 기존의 DDR2　DRAM보다 작은 등, 에너지 절약 성능도 올라갔다.
　삼성 전자는 DDR3 시장을 확대하기 위해, 서버용 16기가바이트(GB), 8 GB모듈(RDIMM), 워크스테이션, 데스크탑 파소콘용 4 GB모듈(UDIMM), 노트 파소콘용 4 GB모듈(SODIMM) 등, 대용량의 메모리 모듈을 주력 제품으로서 공급할 계획이다.
　전문 조사회사의 아이사프라이에 의하면, DDR3　DRAM가 비트 기준으로 DRAM 시장 전체에 차지하는 비율은, 금년의 20%에서 2012년에는 82%에 급확대하는 것과 예상 되고 있는/`B
http://headlines.yahoo.co.jp/hl?a=20090721-00000039-yonh-kr

삼성은 우수한 두뇌가 모이고 있구나

일본 기업은 동면중인가, 가사 상태인가?

하하하는 하하하는 하하하는