質問した技術はよくナノ−イムプリントリソグラフィ(NIL, Nano-Imprint Lithography)と呼ばれる次世代半導体微細公正技術です.
が技術は光を利用して回路を描く既存の露光(Lithography) 方式と違い, ナノメートル($nm$) 単位の微細な回路パターンが刻まれた道場(スタンプ)を半導体Waferの上に取って回路を形成する方式です.まるで印章や版画を刷り出すように物理的に刷り出すから跡を残すという意味で "林プリント(Imprint)"という名前が付きました.
日本のメモリー半導体企業人キオックシア(Kioxia)は装備業社である キヤノン(Canon), 印刷技術企業人 DNP(大日本印刷)とともにこの技術を長い間共同開発して来たし, 自社の 3D ネンドフラッシュ(NAND Flash) メモリー陽傘に適用するために主導的に研究しています.
ナノ−イムプリント(NIL)の作動原理
液体レジスト塗布: 半導体Wafer表面に紫外線(UV)に応じる液体収支(レジスト)を薄く塗ります.
判子を捺すこと(ステムピング): 回路設計が微細に彫刻されたクオーツ(Quartz) 材質のマスター金型(テンプレート)をWaferの上につけてぎゅっと押します. 液体収支が金型の微細な隙間に流れて行きます.
紫外線硬化: その状態で紫外線(UV)をあたって液体収支を堅く固めます.
金型分離: 金型を上で持ち上げれば, Waferの上に金型とまったく同じな模様の微細な回路パターン(跡)がそのまま残るようになります.
どうしてこの技術が注目されるか? (主要長所)
半導体回路が 10ナノ以下で微細になりながら業界はオランダ ASMLの EUV(極子外線) 露光装備を必須で使っています. しかし EUVは装備一台だ数千億ウォンに達して費用負担がおびただしいです. ナノ−イムプリントはこれを取り替える "仮声費救援投手"で数えられます.
圧倒的な費用節減 (EUV 備え画期的低廉): 高い高出力レーザーや複雑な鏡反射システム(レンズ光学係)が必要ないです. おかげさまで装備価格自体も EUVよりずっとチープで, 公正段階も減って生産費用を最大 40% 身近に低めることができます.
電力消費 90% 減縮 (1/10 水準): 光を啄んで大型レンズで縮小投映する既存方式に比べて物理的に刷り出す方式はエネルギーをほとんど使わないです. キオックシアとキヤノンの発表によれば, 露光公正での電力消費を既存の 10分の 1 水準で減らすことができて親環境的(炭素中立)です.
高い解像度と 3D 構造成形: 光の回折(光がしなう現象) 限界にぶつかる光学露光と違い, 物理的に複製するので 10nm台以下の超微細パターンや複雑な 3次元階段式構造(3D ネンドに必須な構造)を一番(回)のステムピングで精緻に作り上げることができます.
解決しなければならない課題 (短所)
長所が明確さにもかかわらずまだパウンドリ(委託生産) 全体で拡散することができなかった理由は物理的接触方式が持った生まれ的限界のためです.
欠陷(Defect) 制御: 道場をWaferに直接触れ合うように取って見たら, 間に微細なほこり(パーティクル)があれば金型が損傷されるとか回路が崩し潰すのは不良が発生します.
整列(Overlay) 精密度: 多くの階の回路を積んで上げる時下にある回路と上に取るはんこの位置をナノメートル単位で正確に合わせる(Alignment) テクニックが非常に気難しいです.
金型寿命: 取れば取るほどマスター道場が摩耗されるとか汚染するので, これを洗浄して管理する費用が追加で入ります.
要約及び見込み
キオックシアが死活をかけて開発中のナノ−イムプリント技術は "光代わりに道場で刷り出す草家性比親環境半導体印刷術"で要約することができます.
精緻な整列が相対的に不十分に気難しくてパターン繰り返しが多い 3D ネンドフラッシュメモリー 分野で一番先に商用化段階に進入しているし, 成功する場合高価の EUV 装備依存度を低めてメモリーチップ単価を画期的に低めることができる力強い武器になる技術です.
まだ解決しなければならない課題も残っているもののこれが完成されれば半導体業社にも良い
のではないか?