ハイニクス, 世界最初貫通電極技術活用

하이닉스, 세계 최초 관통전극 기술 활용

| 기사입력 2010-03-08 08:30

"웨이퍼 레벨 2단 적층칩" 기술 개발

하이닉스반도체(대표 김종갑)는 7일 세계 최초로 관통전극(TSV;Through Silicon Via) 기술을 활용해 웨이퍼 레벨 패키지(WLP;Wafer Level Package)를 2단으로 적층하는 기술을 개발했다고 밝혔다.

웨이퍼 레벨 패키지란 웨이퍼 가공 후 하나씩 칩을 잘라내 패키징하던 기존 방식과 달리 웨이퍼 상태에서 한번에 모든 칩을 패키징하는 것을 말한다. 기존처럼 웨이퍼에서 자른 낱개 칩들을 하나씩 운반해 패키징과 테스트 공정을 거치지 않아도 되기 때문에 생산원가를 20% 가량 낮출 수 있다. 또 두꺼운 절연수지로 패키징하는 것과 달리 얇은 절연막을 흡착시켜 패키징하기 때문에 칩패키지 크기와 두께를 줄일 수 있고, 칩의 발열 특성을 향상시킬 수 있다는 장점이 있다.

관통전극 기술이란 웨이퍼에 직접 구멍을 뚫어 전극을 형성하는 기술로 두 개의 칩을 수직으로 관통하는 전극을 형성해 칩간 신호를 전달하는 방법이다. 기존 와이어 적층방식에 비해 고성능ㆍ소형화에 장점이 있으나 원가가 높은 단점이 있다.

회사는 관통전극 기술을 적용해 얇게 가공된 웨이퍼 두장을 적층할 수 있었다고 설명했다. 패키지 개발 그룹장 변광유 상무는 "웨이퍼 레벨 패키지와 관통전극 기술의 장점만을 취한 패키지 형태"라며 "앞으로 4단, 8단 이상 적층 칩까지 개발할 것"이라고 말했다.

회사는 이번 개발 제품이 크기가 작고, 발열 특성이 좋아 경박단소 트렌드를 반영한 스마트폰이나 열이 많이 발생하는 고성능 서버에 적합하다고 설명했다. 회사는 이 제품을 2012년쯤 양산할 계획이다.

김승룡기자 srkim@

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