シリコーン半導体限界を越す...未来型半導体開発
| 記事入力 2011-03-27 09:43 
[エングコメント]
シリコーン半導体を取り替える未来型半導体の源泉技術が国内研究陣によって開発されました.
韓国の半導体不敗神話を引き続くことができることで期待を集めています.
キム・ジンも記者の報道です.
[レポート]
電話機とコンピューターなどほとんどすべての電子製品にはシリコーン半導体が使われます.
メモリー用量が 1年に 2倍ずつ増加して高速, 高集積化の道を歩いて来たシリコーン半導体.
しかしこれからはこれ以上大きさを減らすことができない限界にぶつかりました.
代案で浮び上がったのがすぐ酸化物半導体です.
550度高温の装備中からレーザーで酸化物を気体で作った後基板の上に一層ずつブッになって行きます.
階の厚さは原子の厚さに似ている 0.4ナノメートル.
研究陣はアイソレーター薄膜の間にもう一つの酸化物をレイヤードを入れてくれることでこの物質が電気を流すとか阻む半導体の性質を見せることを確認しました.
[インタビュー:張号院, KIST電子材料センター博士]
不導体である酸化物基板内にまた不導体である酸化物を原子層厚さで入れた時全体が半導体になってその半導体を私どもが素子に応用することができるということを見せてくれました.
研究陣は特に間に入れてくれる酸化物の種類を異にすればこの物質が半導体特性のみならず金属性や絶縁性など多様な特性を見せることを確認したと明らかにしました.
酸化物半導体は髪の毛厚さの 10万分の 1人ナノメートル水準でもその特性を維持することができてシリコーン半導体の限界を乗り越えることができる未来型半導体で注目されています.
専門家たちは次世代電子素子の源泉技術が国内で開発されることで我が国の半導体不敗神話が続くことができる基盤が用意されたと評価しました.
今度研究結果は世界的な科学ジャーナルであるサイエンスに載せられました.
YTN 金陣頭です.
http://news.naver.com/main/read.nhn?mode=LSD&mid=tvh&sid1=308&oid=052&aid=0000346491