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삼성, 신소재 Graphene 기반 반도체 개발 완료

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"그래핀을 활용한 트랜지스터가 완성된다면, 현재보다 100배 이상 빠른 컴퓨터 성능을 낼 수 있습니다"

삼성전자는 그래핀을 활용해서 만든 새로운 소자를 "배리스터(Barristor)"로 명명하고 상용화시 현재보다 100이상 빠른 컴퓨터를 만들수 있을 것 이라고 소개했다.

18일 삼성전자 서초사옥에서 열린 설명회에서 박성준 종합기술원 전문연구원(사진)은"100배 이상 CPU 성능이 빨라진다는 것은 기술 개발 속도가 10년 이상 차이가 난다고 보면 된다"며 "과거 XT 컴퓨터를 쓰던 사람이 펜티엄 중에서도 최고 사용의 CPU를 탑재한 제품으로 바로 건너뛴다는 것"이라고 설명했다.

그는 "국제반도체표준기구에서 오는 2020년경에 새로운 소재가 등장할 것으로 예상했다"며 "상업화가 언제될지 확실치 않지만 이번 개발로 이를 앞당길 수 있을 것"이라고 강조했다.

특히, 이번 개발은 기존 반도체 공정에서 아주 일부만 추가하기 때문에 크게 달라질 것이 없다"며 "이미 실리콘에 대한 연구가 충분히 돼 있기 때문에 상용화 시간을 상당히 앞당길 수 있을 것"이라고 덧붙였다.

다만, 상용화에 대해서는 "일단 새로운 소자를 제안했고 상용화까지 넘어야 할 장벽은 있을 것"이라며 "확실하게 밝히기는 어렵지만 과거 전문가들의 예측을 앞당길 것"이라고 설명했다.

반도체에는 실리콘(Si) 소재의 트랜지스터가 수십억 개씩 들어 있으며 반도체 성능을 높이려면 트랜지스터의 크기를 줄여 전자의 이동 거리를 좁히거나 전자의 이동도가 더 높은 소재를 사용해 전자가 빠르게 움직이게 해야 한다.

현재 20나노급의 기술까지 도달했지만 이후 기술에 대해서는 회의적인 시각이 많았다.

하지만, 이번에 삼성전자 종합기술원은 새로운 동작원리를 적용하여 그래핀 자체를 변화시키지 않으면서 전류를 차단할 수 있는 소자를 개발했다.

즉, 그래핀과 실리콘을 접합하여 쇼키 장벽(Schottky Barrier)을 만들고 이 장벽의 높이를 조절하는 방법으로 전류를 켜고 끌 수 있게 한 것이다.

한편, 이번 개발은 기존 실리콘의 한계를 극복하고 미래 트랜지스터 개발 가능성을 한단계 높인 것으로 평가되며 세계적 권위의 학술지인 사이언스誌 온라인판에 미국 현지 시간 17일자로 게재됐다.


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三星, 新素材 Graphene 基盤半導体開発完了

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そうピンを活用したトランジスターが完成されたら, 現在より 100倍以上早いコンピューター性能を出すことができます

三星電子は そうピンを活用して作った新しい素子を ¥"バリスタ(Barristor)¥"で命名と商用化の時現在より 100以上早いコンピューターを作ることができることでありなさいと紹介した.

18日三星電子瑞草社屋で開かれた説明会で朴成俊総合技術院専門研究員(写真)は100倍以上 CPU 性能が早くなるということは 技術開発速度が 10年以上差があると見れば良いと過去 XT コンピューターを使った人がぺンティアムの中でも最高使用の CPUを搭載した製品ですぐ飛ばすというのだと説明した.

彼は国際半導体標準器具から来る 2020年頃に新しい素材が登場することと予想したと商業化がいつされるか確かではないが今度開発でこれを繰り上げることができると強調した.

特に, 今度開発は既存半導体公正でとても一部だけ追加するから大きく変わることがないと もうシリコーンに対する研究が充分になっているから商用化時間をよほど繰り上げることができることと付け加えた.

ただ, 商用化に対しては一応新しい素子を提案したし商用化まで越えなければならない障壁はあるとはっきりと明らかにすることは難しいが過去専門家たちの予測を繰り上げると説明した.

半導体にはシリコーン(Si) 素材のトランジスターが数十億犬ずつ入っているし半導体性能を高めようとすればトランジスターの大きさを減らして電子の移動距離を狭めるとか電子の移動島がもっと高い素材を使って電子が早く動くようにしなければならない.

現在 20ナノ級の技術まで到達したが以後技術に対しては懐疑的な視覚が多かった.

しかし, 今度に 三星電子総合技術院は新しい動作原理を適用してそうピン自体を変化させないのに電流を遮断することができる素子を開発した.

すなわち, そうピンとシリコーンを接合してショキ障壁(Schottky Barrier)を作ってこの障壁の高さを調節する方法で電流をつけてひくことができるようにしたのだ.

一方, 今度開発は既存シリコーンの限界を乗り越えて未来トランジスター開発可能性を一段階高さはのに評価されて 世界的権威の学術誌であるサイエンス誌 オンライン版にアメリカ現地時間 17日付けで載せられた.


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