(, ˚∋˚) 후지쯔, 전원 장치 전용의 질화 갈륨고전자 이동도 트랜지스터

주식회사 후지츠 연구소는 24일, 전원 장치 전용의 질화 갈륨고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)를 개발했다고 발표했다.2011년을 목표로 실용화를 목표로 한다.



　질화 갈륨 소재는, 종래의 실리콘과 비교해 10배고내압이기 위해, 전극간의 거리를 짧게 할 수 있다.이 때문에 전자가 달리는 거리를 짧게 할 수 있어 한편 스위칭 속도를 향상할 수 있다.실리콘 트랜지스터와 비교하고, 온 손실을1/5에, 스위칭 손실을1/100이하에 억제되면 있어.

　또, 온 손실의 저감에 수반해 발열량도 저감 해, 냉각 장치등을 소형화할 수 있다.한층 더 스위칭 속도가 향상하기 위해(때문에), 전원 주변의 코일이나 콘덴서 부품도 소형화할 수 있는 메리트를 갖는다고 한다.전원 장치로 사용되는 주위의 코일이나 콘덴서등을 고려해 산출했을 경우, 전원 전체로 손실을 종래의 3분의 1 이하에 억제된다고 하고 있다.     

　동사는 2003년에 라디오 커뮤니케이션기 곧 향해의 질화 갈륨 HEMT 기술, 2008년에 대기시 통전 차단 가능인 질화 갈륨 HEMT를 개발해, 발표했지만, 이것은 온 전압이+2 V이하, 드레인 전류가 600 mA/mm이하의 것으로, 전원에 요구되는+2 V~4 V, 600 mA/mm이상을 달성할 수 없었다.

　거기서 이번, 동사는 n형 질화 알루미늄 갈륨층을 얇게 남기는 것으로, 질화 갈륨 전자 주행층에 데미지를 주지 않는 구조로 하면서, 게이트 전극을 평탄하게 하는 것으로, 신뢰도가 높은 통전 동작을 가능으로 해,온 전류의 증가를 가능으로 했다.이것에 의해, 전원 장치로 실용 가능인 온 전압+3 V, 드레인 전류 829 mA/mm를 세계에서 처음으로 달성했다.

http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/20090624_295781.html