반도체 인공 분자의 료코 상태를 전기적으로 측정하는 방법을 개발

반도체 인공 분자의 료코 상태를 전기적으로 측정하는 방법을 개발
―료코 정보처리에의 응용에 기대-

　JST 목적 기초 연구 사업의 일환으로서 독립 행정법인 산업기술 종합 연구소(이하, 산업기술 종합연구소)의
이마무라 유우시 주임 연구원, JST의 여월노부히코 연구원들은,갈륨 비소(GaAs)를 이용한 반도체
인공 분자(이중 료코닷)에 가둔 2 전자 스핀의 양자 역학적 거듭해 맞댐 상태를 전기적으로
측정하는 방법을 이론적으로 개발했습니다.

　전자는 전기적인 성질인“전하”외에 자기적 성질의“전자 스핀”을 겸비하고 있습니다.
근년, 이 전자 스핀을 에레크트니크스에 적극적으로 도입하는 「스핀트로니크스」라고 불리는 시도가
주목을 끌고 있습니다.특히 반도체로 만들어진 인공적인 원자나 분자에 갇힌 전자 스핀은,
장래의 료코 정보처리 디바이스에의 응용이 기대되고 있습니다.

　본연구 그룹은, 반도체 이중 닷에 갇힌 2개의 2 전자 스핀 상태(스핀 홑겹항·
삼중항)의 양자 역학적 거듭해 맞댐을 전기적으로 측정하는 방법을 이론적으로 개발했습니다.종래의
측정 방법에서는 스핀 홑겹항의 성분과 삼중항의 성분 각각이 나타나는 확률을 지금년인가 할 수 있어
선이었지만, 본방법을 이용하는 것으로 확률과 함께 2 상태간의 양자 역학적인 상대 위상을 검출한다
일이 생겨 2개의 전자 스핀의 양자 역학적인 상태를 완전하게 측정하는 것이 가능이 되었습니다.
이러한 측정 방법은 기초 물리학의 관점으로부터 흥미가 갖게 할 뿐만 아니라,료코 정보처리 디바이스의
개발에 필요한 료코 상태의 초기화나 연산 결과의 확인 방법을 제공하는 것이어, 반도체 인공 분자를
사용한 료코 정보처리 디바이스의 개발에 크게 공헌하는 것이 기대됩니다.

　본연구는, 토호쿠대학 전기 통신 연구소의 코사카영남준교수와 공동으로 실시한 것입니다.

　본연구 성과는, 미국 물리학 회지 「Physical Review Letters」에 수리되어 온라인판으로 가까운 시일내로
공개됩니다.

과학기술 진흥 기구프레스 릴리스
http://www.jst.go.jp/pr/announce/20090721/index.html(, ˚∋˚) 갈륨 비소는 최근 잘 보인다.