半導体のＥＵＶ露光で高まる日本メーカーの存在感、
半導体回路の微細化で欠かせない「極端紫外線（ＥＵＶ）露光」の周辺工程で、日本の装置メーカーの存在感が増している。最も重要な露光装置は蘭ＡＳＭＬが市場を独占するものの、検査や感光剤の塗布・現像など周辺装置分野では日本勢が高いシェアを持つ。
特に需要が高まっているのが、光源にＥＵＶを使ったＥＵＶ露光用フォトマスク（半導体回路の原版）の欠陥検査装置で、同社が１００％のシェアを持つ。従来ＥＵＶ露光用マスクの検査では、主に光源に深紫外線（ＤＵＶ）光を用いてきたが、ＥＵＶ光の方がＤＵＶ光より波長が短く、欠陥の検出感度が高い。現在最先端の回路線幅５ナノメートル（ナノは１０億分の１）ではＤＵＶ光でも対応可能というが、同社の三沢祐太朗経営企画室長は「（微細化が進み）２ナノメートル水準になってくると、ＤＵＶだと感度が足りなくなるだろう」と指摘。光源にＥＵＶを使った検査装置のさらなる需要増に期待を示す。
日本のメーカー２社を使わなければ韓国の半導体は造れないと言う事ですね。
当然装置の輸出に関しては日本政府の許可がいりますから、政府が止めれば韓国の半導体は造れません。
