1千倍早いメモリー素子開発した研究陣
| 記事入力 2011-03-02 01:00
【ソウル=ニューシース】キムフン期記者 = 既存フラッシュメモリーより保存と削除速度が 1000倍以上早い次世代メモリー素子を国内研究陣が世界最初に開発した.
建国大学校は 2日物理学部養子上訴者専攻イ・サンウック教授チームとソウル大朴零雨教授チームが炭素ナノチューブとマイクロ電気易学システム基盤の低電力-超高速非揮発性メモリー素子を世界最初に開発したと明らかにした.
左側からイ・サンウック教授, 朴零雨教授, 建国大招聘 WCU 海外碩学であるエルレノ−オキャンベルイギリスエディンバラ台教授. (写真 = 建国大提供) / photo@newsis.com
