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1千倍早いメモリー素子開発した研究陣

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1千倍早いメモリー素子開発した研究陣

ニューシース| 記事入力 2011-03-02 01:00
src=http://imgnews.naver.com/image/003/2011/03/02/NISI20110301_0004160589_web.jpg
【ソウル=ニューシース】キムフン期記者 = 既存フラッシュメモリーより保存と削除速度が 1000倍以上早い次世代メモリー素子を国内研究陣が世界最初に開発した.

建国大学校は 2日物理学部養子上訴者専攻イ・サンウック教授チームとソウル大朴零雨教授チームが炭素ナノチューブとマイクロ電気易学システム基盤の低電力-超高速非揮発性メモリー素子を世界最初に開発したと明らかにした.

左側からイ・サンウック教授, 朴零雨教授, 建国大招聘 WCU 海外碩学であるエルレノ−オキャンベルイギリスエディンバラ台教授. (写真 = 建国大提供) / photo@newsis.com

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1천배 빠른 메모리 소자 개발한 연구진

1천배 빠른 메모리 소자 개발한 연구진

뉴시스| 기사입력 2011-03-02 01:00

【서울=뉴시스】김훈기 기자 = 기존 플래시 메모리보다 저장과 삭제 속도가 1000배 이상 빠른 차세대 메모리 소자를 국내 연구진이 세계 최초로 개발했다.

건국대학교는 2일 물리학부 양자상소자전공 이상욱 교수팀과 서울대 박영우 교수팀이 탄소나노튜브와 마이크로 전기역학 시스템 기반의 저전력-초고속 비휘발성 메모리 소자를 세계 최초로 개발했다고 밝혔다.

왼쪽부터 이상욱 교수, 박영우 교수, 건국대 초빙 WCU 해외석학인 엘레노어 캠벨 영국 에든버러대 교수. (사진 = 건국대 제공) / photo@newsis.com

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