삼성의 승부, 3 차원 NAND에 25조원 투자…토시바 등 분리에
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삼성의 승부, 3 차원 NAND에 25조원 투자
토시바 등 분리에
2016년 06월 15일 09시 47분
[한국 경제 신문/중앙 일보 일본어판]
삼성 전자가 3 차원(3 D) NAND형 플래쉬 메모리에 내년까지 25조원( 약 2조 2500억엔)을 투입한다.막대한 투자를 통해서 토시바·마이크론 등 라이벌 기업 뿐만이 아니라, 신규 참가한 인텔이나 중국 XMC등이 시장에 발을 디딜 수 없게 한다고 하는 전략이다.삼성 전자는 DRAM에서도 이러한 전략으로 「30년 치킨 게임」을 정리해, 독주 체제를 굳혔다.
업계에 의하면, 삼성 전자는 경기도 화성(파손)의 반도체 공장 16 라인의 일부를 3 D NAND용으로 전환하는데 계속 되어, 17 라인의 2 단계 공장에도 3 D NAND 라인을 설치하기로 했다.월 10만매(wafer 기준) 생산 설비를 금년 하반기에 설치해, 연말에 가동할 계획이다.또 삼성은 연말에 완공 하는 경기도 히라사와(폴테크) 공장(1 단계월 10만매 규모)에서도 3 D NAND의 생산을 사실상 결정했다.여기에는 연말부터 설비 투자를 시작해 내년 하반기에 가동한다.
토시바는 7월 27일, 3 차원 NAND 플래쉬 메모리 「BiCS FLASH」의 64층 적층 프로세스를 개발해, 세계에서 처음으로 샘플 출하를 시작했다고 발표했다.1 셀 당 3비트 기록할 수 있어 메모리 1개 당의 용량은 256 Gbit(32 GB).내년 전반에 양산을 시작한다.
또 메모리 경쟁이 시작되었어?＾＾；
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サムスンの勝負、３次元ＮＡＮＤに２５兆ウォン投資…東芝など引き離しへ
サムスンの勝負、３次元ＮＡＮＤに２５兆ウォン投資…東芝など引き離しへ
2016年06月15日09時47分
[韓国経済新聞／中央日報日本語版]
サムスン電子が３次元（３Ｄ）ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーに来年まで２５兆ウォン（約２兆２５００億円）を投入する。莫大な投資を通じて東芝・マイクロンなどライバル企業だけでなく、新規参入したインテルや中国ＸＭＣなどが市場に足を踏み入れられないようにするという戦略だ。サムスン電子はＤＲＡＭでもこうした戦略で「３０年チキンゲーム」を整理し、独走体制を固めた。
業界によると、サムスン電子は京畿道華城（ファソン）の半導体工場１６ラインの一部を３Ｄ ＮＡＮＤ用に転換するのに続き、１７ラインの２段階工場にも３Ｄ ＮＡＮＤラインを設置することにした。月１０万枚（ウェハー基準）生産設備を今年下半期に設置し、年末に稼働する計画だ。またサムスンは年末に完工する京畿道平沢（ピョンテク）工場（１段階月１０万枚規模）でも３Ｄ ＮＡＮＤの生産を事実上決めた。ここには年末から設備投資を始め、来年下半期に稼働する。
東芝は7月27日、3次元NANDフラッシュメモリ「BiCS FLASH」の64層積層プロセスを開発し、世界で初めてサンプル出荷を始めたと発表した。1セル当たり3ビット記録でき、メモリ1個当たりの容量は256Gbit（32GB）。来年前半に量産を始める。
またメモリー競争が始まった？＾＾；
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