삼성의 승부, 3 차원 NAND에 25조원 투자&#133토시바 등 분리에

삼성의 승부, 3 차원 NAND에 25조원 투자…토시바 등 분리에 2016년 06월 15일 09시 47분 [한국 경제 신문/중앙 일보 일본어판] 삼성 전자가 3 차원(3 D) NAND형 플래쉬 메모리에 내년까지 25조원( 약 2조 2500억엔)을 투입한다.막대한 투자를 통해서 토시바·마이크론 등 라이벌 기업 뿐만이 아니라, 신규 참가한 인텔이나 중국 XMC등이 시장에 발을 디딜 수 없게 한다고 하는 전략이다.삼성 전자는 DRAM에서도 이러한 전략으로 「30년 치킨 게임」을 정리해, 독주 체제를 굳혔다. 업계에 의하면, 삼성 전자는 경기도 화성(파손)의 반도체 공장 16 라인의 일부를 3 D　NAND용으로 전환하는데 계속 되어, 17 라인의 2 단계 공장에도 3 D　NAND 라인을 설치하기로 했다.월 10만매(wafer 기준) 생산 설비를 금년 하반기에 설치해, 연말에 가동할 계획이다.또 삼성은 연말에 완공 하는 경기도 히라사와(폴테크) 공장(1 단계월 10만매 규모)에서도 3 D　NAND의 생산을 사실상 결정했다.여기에는 연말부터 설비 투자를 시작해 내년 하반기에 가동한다. 　토시바는 7월 27일, 3 차원 NAND 플래쉬 메모리 「BiCS FLASH」의 64층 적층 프로세스를 개발해, 세계에서 처음으로 샘플 출하를 시작했다고 발표했다.1 셀 당 3비트 기록할 수 있어 메모리 1개 당의 용량은 256 Gbit(32 GB).내년 전반에 양산을 시작한다. 　또 메모리 경쟁이 시작되었어?＾＾；