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삼성전자, 6조 규모 화성 18라인 11월 조기 착공…“파운드리 경쟁력 강화”

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급증하는 반도체 수요 선제 대응
- 삼성전자 신속 인허가 요청…화성시 적극 호응


[헤럴드경제=정순식ㆍ홍석희 기자] 삼성전자가 파운드리 사업부문의 미세공정 경쟁력 강화를 위해 오는 11월 6조원을 투입해 연면적 10만평 규모의 화성공장 18라인을 조기 착공한다. 화성 공장의 신축은 당초 내년으로 점쳐졌지만 급증하는 반도체 수요에 선제적으로 대응키 위해 조기 착공이 전격적으로 결정됐다.

황득규 삼성전자 부사장은 이를 위해 최근 채인석 화성시장을 만나 조속한 착공을 위한 신속한 인허가 지원을 요청한 것으로 확인됐다. 이에 화성시 또한 TF팀을 꾸리고 신규 라인 조기 가동을 적극 지원할 계획이다.

[사진=삼성전자가 오는 11월 착공을 목표로 부지 정비 작업을 진행중인 화성 캠퍼스 부지 항공사진. 삼성전자는 이곳에 7나노 이하 공정에 필수적인 극자외선 노광(EUV) 장비 수십여대를 들여와 메모리·비메모리 분야 경쟁력을 강화할 예정이다. 준공은 2019년 하반기가 목표다]
18일 삼성전자와 화성시 등에 따르면 삼성전자는 오는 11월 착공을 목표로 화성사업장 17라인 옆 임시주차장 부지에 ‘삼성전자 화성단지 신규 팹 18라인(가칭) 신축공사’를 추진중인 것으로 확인됐다. 건축면적은 4만5365m2 크기로 공장 1개동이 건설된다. 연면적은 29만8114m2로 오는 2019년 하반기 준공이 목표다. 건물은 지하2층 지상 13층으로 지어진다. 투자 규모는 6조원이다. 주요 생산품은 메모리(D램)와 AP를 제외한 비메모리 부문이다.

새로 지어지는 ‘18라인’에는 EUV(극자외선 노광장비) 수십대가 배치될 예정이다. 이 장비는 반도체 실리콘웨이퍼에 회로를 그려 넣는 핵심장치다. 대당 가격은 2000억원에 이른다. 삼성전자는 세계 최초로 4나노미터 미세공정 로드맵을 내놓은 바 있는데, 7나노 이하 공정에는 EUV 장비가 반드시 필요하다.

삼성전자가 총수 부재 상황에도 불구하고 18라인 착공 시기를 앞당긴 것은 반도체 분야에서 확고한 1위를 차지하겠다는 ‘초격차 전략’ 의지가 반영된 것으로 풀이된다. 올해 삼성전자는 인텔을 누르고 20여년만에 처음으로 반도체 분야 1위를 차지할 것으로 전망된다.

삼성전자는 “올해 상반기에만 반도체와 DP사업부문의 라인 성능 개선을 위한 시설투자에 22조5000억원을 사용하는 등 시설투자액이 전년 대비 대폭 증가할 것”이라고 설명했다.

18라인 조기착공에는 파운드리 경쟁력 강화 의지도 반영돼 있다. 올해 삼성전자는 반도체사업부문 시스템LSI의 파운드리 사업팀을 부서로 승격시켰다. 지난 6월 미국 오스틴 공장에 10억달러 투자 집행을 끝냈고, 2020년까지 15억달러를 추가 투입할 계획이다. 시장조사기관 IHS에 따르면 파운드리 사업은 대만 TSMC가 지난해 기준 50%의 점유율로 세계 1위를 차지하고 있다. 반면 삼성전자는 7.9%로 4위, SK하이닉스는 0.2%로 27위에 머무르고 있다.

반도체 업계 관계자는 “메모리 반도체는 초대형 장치산업으로 사이클에 따라 부침이 심한 업종인데 비해 파운드리 산업은 부침이 적다”며 “반도체 내 포트폴리오 다각화가 필요한 시점”이라고 말했다.

삼성전자의 선제적인 투자 결정에 화성시도 적극 호응하고 나섰다. 화성시는 지난달 TF팀(환경ㆍ교통ㆍ지구단위ㆍ건축)을 구성했다. 삼성전자와 화성시는 다음주 중 실무진 미팅을 갖고 구체적인 요구사항과 이행가능성에 대한 의견을 주고받을 계획이다. 화성시 관계자는 “삼성전자 측에서 구체안을 갖고 오면 적극 검토할 계획”이라며 “시도 삼성전자 투자에 기대를 걸고 있다”고 설명했다.

실무 미팅에선 교통 및 건축 인허가 문제가 집중 거론될 전망이다. 이번에 짓는 신규라인 규모가 7만5000m2 크기 이상이어서 교통영향평가 대상이다. 또 해당 부지는 산업단지로 묶여 있지 않아 행정 협조가 필요한 부분이 적지 않은 것으로 전해진다. 황득규 부사장과 채인석 시장은 지난달 말 팹 18라인 조기 착공을 위한 회의를 마쳤고, 실무 미팅은 이에 필요한 후속작업 성격이 짙다.

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三星電子, 6兆規模火星 18ライン 11月早期着工…“パウンドリ競争力強化”

急増する半導体需要先制対応
- 三星電子迅速認許可要請…化城市積極呼応


[ヘラルド経済=正巡式・ホングソックフィ記者] 三星電子がパウンドリ事業部門の微細公正競争力強化のために来る 11月 6兆ウォンを投入して延べ面積 10万坪規模の火星工場 18ラインを早期着工する. 火星工場の伸縮は最初来年で占われたが急増する半導体需要に先制的に対応するために早期着工が電撃的に決まった.

ファングドックギュ三星電子副社長はこのために最近チェ隣席火星市場に会って早速な着工のための迅速な認許可支援を要請したことで確認された. ここに化城市も TFチームを立てて新規ライン早期稼動を積極支援する計画だ.

[写真=三星電子が来る 11月着工を目標で敷地整備作業を進行中の火星キャンパス敷地航空写真. 三星電子はこちらに 7ナノ以下公正に必須な極子外線露光(EUV) 装備数十旅大を持ちこんでメモリー・非メモリー分野競争力を強化する予定だ. 竣工は 2019年下半期が目標だ]
18日三星電子と化城市などによれば三星電子は来る 11月着工を目標で火星事業場 17ラインそばの臨時駐車場敷地に ‘三星電子火星団地新規ペブ 18ライン(仮称) 新築工事’を推進中のことで確認された. 建築面積は 4万5365m2 大きさで工場 1ヵ洞が建設される. 延べ面積は 29万8114m2で来る 2019年下半期竣工が目標だ. 建物は地下2階地上 13階で建てられる. 投資規模は 6兆ウォンだ. 主要生産品はメモリー(Dラム)と APを除いた非メモリー部門だ.

新たに建てられる ‘18ライン’には EUV(極子外線露光装備) 数十台が配置される予定だ. この装備は半導体シリコーンWaferに回路を描いて入れる核心装置だ. 台当り価格は 2000億ウォンに至る. 三星電子は世界最初で 4ナノメートル微細公正ロードマップを出した事があるのに, 7ナノ以下公正には EUV 装備が必ず必要だ.

三星電子が総帥不在状況にもかかわらず 18ライン着工時期を繰り上げたことは半導体分野で確固な 1位を占めるという ‘チォギョックチァ戦略’ 意志が反映されたことで見られる. 今年三星電子はインテルを押して 20余年ぶりに初めて半導体分野 1位を占めることと見込まれる.

三星電子は “今年上半期にだけ半導体と DP事業部門のライン性能改善のための施設投資に 22兆5000億ウォンを使うなど施設投資額が前年対比大幅に増加すること”と説明した.

18ライン早期着工にはパウンドリ競争力強化意志も反映されている. 今年三星電子は半導体事業部門システムLSIのパウンドリ事業チームを部署で昇格させた. 去る 6月アメリカオースチン工場に 10億ドル投資執行を終わらせたし, 2020年まで 15億ドルを追加投入する計画だ. 市場調査機関 IHSによればパウンドリ事業は台湾 TSMCが去年基準 50%のシェアで世界 1位を占めている. 一方三星電子は 7.9%で 4位, SKハイニクスは 0.2%で 27位にとどまっている.

半導体業界関係者は “メモリー半導体は超大型装置産業でサイクルによって浮き沈みがひどい業種なのに比べてパウンドリ産業は送ることが少ない”と “半導体私のポートフォリオ多角化が必要な時点”と言った.

三星電子の先制的な投資決定に化城市も積極互応して出た. 化城市は先月 TFチーム(環境・交通・地球単位・建築)を構成した. 三星電子と化城市は来週の中で実務陣会議を持って具体的な要求事項と移行可能性に対する意見を取り交わす計画だ. 化城市関係者は “三星電子側で具体案を持って来れば積極検討する計画”と言いながら “試み三星電子投資に期待をかけている”と説明した.

実務合コンでは交通及び建築認許可問題が集中挙論される見込みだ. 今度作る新規ライン規模が 7万5000m2 大きさ以上なので交通影響評価対象だ. また該当の敷地は産業団地で縛られていなくて行政協助の必要な部分が少なくないことと伝わる. ファングドックギュ副社長とチェ隣席市場は先月末ペブ 18ライン早期着工のための会議を終えたし, 実務合コンはここに必要な後続作業性格が濃い.

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