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"건물 유리창이 디스플레이 되는 길 열렸다"

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"건물 유리창이 디스플레이 되는 길 열렸다"

머니투데이| 기사입력 2011-10-10 18:10 | 최종수정 2011-10-10 18:25 기사원문

[머니투데이 김태은 기자][(종합)삼성전자, 유리기판 상 GaN LED 구현 기술 개발]

빌딩 유리창이 대형 발광다이오드(LED) 조명이나 디스플레이 역할을 하게 될 전망이다.

삼성전자 종합기술원은 10일 세계 최초로 유리기판 상에 GaN(질화갈륨, Gallium Nitride) 발광다이오드(LED)를 만드는 데 성공했다고 발표했다. 값싸고 대형화가 쉬운 유리기판 위에 GaN LED를 붙일 수 있게 되면 저전력이면서도 100인치 이상의 대형 디스플레이 생산은 물론 유리창을 조명이나 LED 화면으로 직접 이용할 수 있게 된다.

GaN은 적은 에너지로도 높은 효율의 빛을 낼 수 있어 발광다이오드(LED) TV나 조명 등 산업 전반에 쓰이고 있으나, 수정(사파이어) 등 고가의 재료 위에서의 제조는 가능했으나, 싼 유리 위에 LED를 만들기는 어려워 대형의 조명이나 디스플레이에는 적용되기 어려웠다.

유리기판의 경우 원자구조가 일정하지 않은 비정질 구조로 비포장 산악도로와 같아서 LED를 기판 위에 만들더라도 전류를 흘려보내 균일한 빛을 만들기가 불가능했다.

따라서 원자 배열이 규칙적인 성질의 단결정 물질인 GaN LED는 사파이어와 같은 단결정 기판 위에서만 결정체를 쌓는 방법으로 구현될 수 있다는 것이 업계의 상식이었다.

이런 상식을 깨고 유리기판 위에 균일한 아스팔트와 같은 티타늄 박막을 입혀 전자를 실어 나를 수 있는 도로를 만들어 줘 균일하고 컨트롤이 가능한 성능의 LED 구현이 가능해진 것이다.

이 때문에 그동안 사파이어와 같은 단결정 기판에 적용해 불과 3~4인치의 패널 밖에 생산하지 못했던 것에서 100인치 디스플레이까지 가능하게 하는 길이 열리게 됐다.

삼성전자는 GaN와 결정 특성·구조가 유사한 티타늄 박막을 이용해 비정질 유리기판에 결정성을 부여, 유리기판 상 5mm×5mm 영역에서 GaN LED를 구현할 수 있었다.

이번 연구는 단결정 구조의 GaN 성장이 사파이어와 같은 단결정 기판 상에서만 가능하다는 상식을 극복하고 비정질의 유리기판 상에서 GaN LED의 구현 가능성을 세계 처음으로 증명했다는 의미가 있다는 것이 삼성전자 측 설명이다.

세계적 권위의 국제 학술지인 "네이처 포토닉스(Nature Photonics)" 인터넷판(10일자)에 게재됐다.

또한 향후 GaN LED가 멀티 광원을 활용한 대형 사이즈의 조명과 디스플레이용 컬러표시소자 등 옵토 일렉트로닉스(opto electronics) 분야에 확대 적용될 수 있는 기반이 마련됐다.

최준희 삼성전자 종합기술원 전문연구원은 "유리기판을 통해 대형 기판에서 한꺼번에 많은 GaN LED를 생산하게 되면 가격경쟁력이 커지게 돼 10년 이내에 GaN LED를 상용화할 수 있는 여력도 커진다"고 설명했다.

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建物ガラス窓がディスプレーになる道開かれた

建物ガラス窓がディスプレーになる道開かれた

マネートゥデー| 記事入力 2011-10-10 18:10 | 最終修正 2011-10-10 18:25 記事原文

[マネートゥデーキム・テウン記者][(総合)三星電子, 硝子基板上 GaN LED 具現技術開発]

ビルガラス窓が大型発光ダイオード(LED) 照明やディスプレー役目をするようになる見込みだ.

三星電子総合技術院は 10日世界最初で硝子基板賞に GaN(窒化ガリウム, Gallium Nitride) 発光ダイオード(LED)を作るのに成功したと発表した. 安っぽくて大型化が易しい硝子基板上に GaN LEDを付けることができるようになれば低電力ながらも 100インチ以上の大型ディスプレー生産はもちろんガラス窓を照明や LED 画面で直接利用することができるようになる.

GaNは少ないエネルギーでも高い效率の光を出すことができて発光ダイオード(LED) TVや照明など産業全般に使われているが, 修正(サファイア) など高価の材料の上での製造は可能だったが, 安い硝子の上に LEDを作ることは難しくて大型の照明やディスプレーには適用されにくかった.

硝子基板の場合原子構造が一定しない非晶質構造で未鋪装山岳道路のようで LEDを基板の上に作っても電流を流して均一な光を作るのが不可能だった.

したがって原子配列が規則的な性質の単結晶物質である GaN LEDはサファイアのような単結晶基板の上でばかり結晶体を積む方法に具現されることができるということが業界の常識だった.

こんな常識を壊して硝子基板上に均一なアスファルトのようなチタン薄膜を加えて電子を積んで運ぶことができる道路を作ってくれ均一でコントロールが可能な性能の LED 具現が可能になったのだ.

このためにその間サファイアのような単結晶基板に適用してわずか 3‾4インチのパネルの外に生産することができなかったことで 100インチディスプレーまで可能にさせる道が開かれるようになった.

三星電子は GaNと決定特性・構造が類似のチタン薄膜を利用して非晶質硝子基板に決定性を付与, 硝子基板上 5mm×5mm 領域で GaN LEDを具現することができた.

今度研究は単結晶構造の GaN 成長がサファイアのような単結晶基板上でばかり可能だという常識を乗り越えて非晶質の硝子基板上で GaN LEDの具現可能性を世界初めて証明したという意味があるというのが三星電子側説明だ.

世界的権威の国際学術誌である ¥"ネイチャーフォトニックス(Nature Photonics)¥" インターネット版(10日付け)に載せられた.

も今後の GaN LEDがマルチ光源を活用した大型サイズの照明とディスプレー用カラー表示素子などオブトエレクトロニクス(opto electronics) 分野に拡大適用されることができる基盤が用意された.

ツェズンフィ三星電子総合技術院専門研究員は硝子基板を通じて大型基板でいっぺんに多くの GaN LEDを生産するようになれば価格競争力が大きくなるようになって 10年以内に GaN LEDを常用化することができる余力も大きくなると説明した.

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