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株価崩壊で嘘を吐くサムスン20nm級nida!!!!!!!!!!

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サムスン電子、20ナノ級Dラム第3四半期の量産...日に"判定勝ち"
[ア ジア経済朴記者]次世代工程である20ナノ級Dラムの競争でも、サムスン電子が日本企業よりも一歩リードを奪うものと見られる。日本のエルピーダの25ナ ノDラムが試作品発表の段階であるのに対し、サムスン電子の20ナノ級Dラムは、量産秒読みに入った。 10日、関連業界によると、サムスン電子は今年第3四半期中に20ナノ級Dラムの量産に入る予定です。当初、"年末の量産"から"年内に出来るだけ早い時 期"に戦略を修正して研究開発に拍車をかけた結果だ。現在、サムスン電子は20ナノ級Dラム開発の手順を量産直前の水準まで引き上げ、仕上げ作業を進めて いる。それに比べて、今月初めにエルピーダメモリが発表した25ナノ2ギガビット(Gb)DDR3 SDラムはサンプル段階でのテストなどのプロセスだけを4ヶ月余りが必要とされ、年内に量産するかどうかも不透明な状態だ。最近公開されたエルピーダの 25ナノのサンプル、製品写真を基準に見ると、サンプル製作後、半導体モジュール化、製品のテスト、フィードバック、顧客認証の過程を経た後、量産が行わ れる。現在、サムスン電子は、お客様の認証まで終えた状態だという。量産過程までの投資部門でも、サムスン電子が優位を占めている。微細プロセスの切り替 えをすると、既存の機器の補強や交換が必要で、量産までの大規模な投資が必要である。このため、サムスン電子は、プロセス移行のための投資を着実に続けて きた。半導体の業況低迷にもかかわらず、過去2四半期にも黒字を出し、資金事情も余裕がある。 エルピーダは昨年第4四半期(4〜6月)の赤字を含め、3四半期連続の赤字を記録し、財務状況があまり良い方ではない。先月、プロセス移行と債務返済のた めに実施した797億円規模の資金調達でも88%レベルを達成するのに終わった。装置の導入後も6ヶ月の間の安定化の期間も必要だ。 サムスン電子の20ナノ級工程の量産が可視化されることによって19年間守ってきた半導体の世界1位の地位を堅固に維持される見通しだ。20ナノ級製品 は、既存の30ナノ級よりも生産効率に優れており、競合他社よりも価格競争力で優位を占める効果がある。また、電力消耗や大きさなど、機能的な側面もオ ウォルヘ多様な製品群を効果的に適用することができる。サムスン電子関係者は"現在開発中の20ナノ級Dラムが最近発表されたエルピーダの製品に比べて開 発の過程で進んでいると見られる"とし" 20ナノ級の製品は、今月ネカジヌンはっきりしないが、来月中には量産に突入するだろう"と語った。
朴記者
http://news.naver.com/main/read.nhn?mode=LSD&mid=shm&sid1=105&oid=277&aid=0002651248




エルピーダ25nm(2011年7月より量産)
エルピーダ30nm(2011年1月より量産)
サムスン35nm(量産中)25nmの196%の大きさ
ハイニクス38nm(量産中)25nmの231%の大きさ


サムスンの20ナノ級は、保存性が30%高くなったと報道しているので計算すると、35nmから29nmになることになります。過去にも40nm級として49nmを発表していますね。

try { var fAction=false; var fAllow=true; var sCLSName=null; var isIE=(document.documentElement.getAttribute("style")==document.documentElement.style); var sCLSXNm="class"; if(isIE) { sCLSXNm="className"; } var aryElsKr=document.getElementsByTagName("font"); for(var vdx=0;vdx
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주가 붕괴로 거짓말을 토하는 삼성 20 nm급 nida!!!!!!!!!!

삼성 전자, 20 나노급 D램 제 3 4분기의 양산...날에"판정승"
[아 차아 경제박기자]차세대 공정인 20 나노급 D램의 경쟁에서도, 삼성 전자가 일본 기업보다 한 걸음 리드를 빼앗는 것이라고 볼 수 있다.일본의 에르피다의 25나 노 D램이 시작품 발표의 단계인데 대해, 삼성 전자의 20 나노급 D램은, 양산 초읽기에 들어갔다. 10일, 관련 업계에 의하면, 삼성 전자는 금년 제 3 4분기중에 20 나노급 D램의 양산에 들어갈 예정입니다.당초,"연말의 양산"으로부터"연내에 가능한 한 빠를 때 기"에 전략을 수정하고 연구 개발에 박차를 가한 결과다.현재, 삼성 전자는 20 나노급 D램 개발의 순서를 양산 직전의 수준까지 끌어올려 마무리 작업을 진행시켜 있다.거기에 비교하고, 이번 달 초에 에르피다메모리가 발표한 25 나노 2 기가비트(Gb) DDR3 SD램은 샘플 단계에서의 테스트등의 프로세스만을 4개월남짓이 필요하게 되어 연내에 양산할지도 불투명한 상태다.최근 공개된 에르피다의 25 나노의 샘플, 제품 사진을 기준에 보면, 샘플 제작 후, 반도체 모듈화, 제품의 테스트, 피드백, 고객 인증의 과정을 거친 후, 양산이 행 원 .현재, 삼성 전자는, 고객의 인증까지 끝낸 상태라고 한다.양산 과정까지의 투자 부문에서도, 삼성 전자가 우위를 차지하고 있다.미세 프로세스가 완전히 교체되어 네를 하면, 기존의 기기의 보강이나 교환이 필요하고, 양산까지의 대규모 투자가 필요하다.이 때문에, 삼성 전자는, 프로세스 이행을 위한 투자를 착실하게 계속해 왔다.반도체의 업무상황 침체에도 불구하고, 과거 2 4분기에도 흑자를 내, 자금 사정도 여유가 있다. 에르피다는 작년 제 4 4분기(4〜6월)의 적자를 포함해 3 4분기 연속의 적자를 기록해, 재무 상황이 너무 좋은 분은 아니다.지난 달, 프로세스 이행과 채무 반제 째에 실시한 797억엔 규모의 자금 조달에서도 88%레벨을 달성하는데 끝났다.장치의 도입 후도 6개월간의 안정화의 기간도 필요하다. 삼성 전자의 20 나노급 공정의 양산이 가시화 되는 것에 의해서 19년간 지켜 온 반도체의 세계 1위의 지위를 견고하게 유지될 전망이다.20 나노급 제품 (은)는, 기존의 30 나노급보다 생산 효율이 뛰어나고 있어 경합 타사보다 가격 경쟁력으로 우위를 차지하는 효과가 있다.또, 전력 소모나 크기 등, 기능적인 측면도 오 워르헤 다양한 제품군을 효과적으로 적용할 수 있다.삼성 전자 관계자는"현재 개발중의 20 나노급 D램이 최근 발표된 에르피다의 제품에 비해 개 발의 과정에서 진행되고 있다고 보여지는"으로 해" 20 나노급의 제품은, 이번 달 네카지는 확실치 않지만, 다음 달중에는 양산에 돌입할 것이다"라고 말했다.
박기자
http://news.naver.com/main/read.nhn?mode=LSD&mid=shm&sid1=105&oid=277&aid=0002651248




에르피다 25 nm(2011년 7월부터 양산)
에르피다 30 nm(2011년 1월부터 양산)
삼성 35 nm(양산중) 25 nm의196%의 크기
하이니크스 38 nm(양산중) 25 nm의231%의 크기


삼성의 20 나노급은, 보존성이 30%높아졌다고 보도하고 있으므로 계산하면, 35 nm에서 29 nm가 되게 됩니다.과거에도 40 nm급으로서 49 nm를 발표하고 있네요.

try { var fAction=false; var fAllow=true; var sCLSName=null; var isIE=(document.documentElement.getAttribute("style") ==document.documentElement.style); var sCLSXNm="class"; if(isIE) { sCLSXNm="className"; } var aryElsKr=document.getElementsByTagName("font"); for(var vdx=0;vdx

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