東芝19nmNAND型フラッシュ量産中！

토시바, 19nm 프로세스로 세계 최대 용량 3 bit/셀 NAND 형 플래쉬 메모리

japan.internet.com 2월 23일 (목) 18시 1 분배신
토시바는 2012년 2월 23일, 19nm 프로세스로 세계 최대 용량(동사 조사) 128 Gbit(16 GB)를 실현한 3 bit/셀의 NAND 형 플래쉬 메모리를 개발해, 2월 22일(현지시간)에 미국에서 개최중의 반도체 국제 학회「ISSCC」로, SanDisk 와 공동 발표했다.이 제품은 2월부터 양산 출하를 개시하고 있다.

이번 개발한 NAND 형 플래쉬 메모리는, 토시바 독자적인 고속 기록 회로 방식과 셀간에 공동을 형성해, 셀끼리의 간섭을 억제하는 기술, 에어 갭 구조에 의해, 3 bit/셀 제품으로서는 세계 최고 속도(동사 조사)의 18 MB/초의 기입 속도를 실현하는 것과 동시에, 128Gbit 의 NAND 형 플래쉬 메모리로서는 세계 최소(동사 조사)의 170평방 밀리미터의 팁 사이즈가 되었다.

토시바의 고속 회로 기록 회로 방식이란, 메모리 셀에 데이터를 3 단계에서 쓸 때, 2 단계눈으로 모든 비트를 대략적으로 써 끝내 3 단계눈으로 미수정만을 실시해, 써 끝난 메모리 셀에 영향을 미 현상을 약 5％로 하는 기술.또, 메모리 셀 제어 회로를 한쪽 편에 대어 배치하는 등의 회로 구성으로, 주변 회로군의 배치 면적을 약 20％줄이는 것에 성공했다.

http://headlines.yahoo.co.jp/hl?a=20120223-00000014-inet-sci

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NAND형 플래시

토시바 19nm (2012년 2월 양산중)

삼성 27nm(2011년 1Q(1-3달) 양산) 2010년 4월은 거짓말

하이 닉스 26nm 2010년 8월은 거짓말로 아직도 출하하고 있지 않다.



DRAM

에르피다 25nm 4 Gbit(2011년 12월부터 양산 출하 예정)

에르피다 25nm 2 Gbit(2011년 8월부터 출하)
제품번호「EDJ2104BFSE」, 「EDJ2108BFSE」

삼성 20 nm급 2Gbit(2011년 9월중에 양산??)

에르피다 30 nm(2011년 1월부터 출하・5월 양산)

삼성 35 nm(양산중) 25 nm의196%의 크기

하이니크스 38 nm(양산중) 25 nm의231%의 크기


LCD

샤프 제 10세대 양산중

삼성 제 8세대 양산중(한국 경제 신문2011/08/30보도, 8할 감산 예정)

삼성 전자, 텔레비젼용 액정 파넬을 8할 감산에=한국지

http://jp.reuters.com/article/businessNews/idJPJAPAN-22940120110830


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