
多い専門家たちがメモリー半導体進化は限界に到逹したし, 発展が難しい見通しています. しかし三星電子は 10ナノ(nm)級雇用量 (メモリー)製品を作るために努力しています.
16日ソウル奨忠洞新羅ホテルで開かれた `三星メモリーソリューションフォーラム 2013¥"で全ヨンヒョン三星電子メモリー事業部戦略マーケティングチーム長(副社長)はこのように言った.
この日の前副社長は (メモリー半導体を) もっと小さくて早くて強くするのが目標と言いながらこれは三星電子のみならず IT業界が持っている永遠な宿題だと言った.
また彼は 10ナノ製品を開発することは易しくない挑戦で, 安全性まで取り揃えた製品で作るまで難関を乗り越えなければならないと付け加えた.
この日三星電子は既存より速度と電力消費效率, 費用, 空間活用もなどを大幅に改善した `5世代グリーンメモリーソリューション¥"を最初に公開した. 三星電子は 2011年には 3世代, 4世代ソリューションを公開した事がある.
がソリューションの核心は `グリーン DDR4 SDRAM¥"と `PCIe 規格ソリッドステートドライブ(SSD)¥"だ. これを同時に活用してシステム性能と空間, 投資效率を同時に高めることができることが特徴だ. 三星電子によれば DDR3 SDRAMとハードディスクドライブで構成されたサーバーを `5世代グリーンメモリーソリューション¥"で入れ替れば性能は 1.6倍, 空間活用度を 4倍以上向上する.
これを全世界サーバーに適用する場合, 毎年 45テラワット(TW)の全力節減效果を得ることができると会社は説明した. これは 10年生木 8億本を植えることと似ている效果だ.
`グリーン DDR4 SDRAM¥"は既存 DDR3 SDRAMより 15% 早い秒当たり 2133Mbの速度を提供しながらも全力消耗量は 24% 少ない. もっと少ない全力でもっと多いデータを処理することができるわけだ. 三星電子はこれからこれより 1.5倍早い秒当たり 3200Mb 製品も量産する計画だ.
また PCIe SSDは秒当たり 4GBを送ることができる. これは秒当たり 600MBを送ることができる既存 SATA 方式製品より 6倍以上早いのだ. 三星電子は PCIe SSDを活用すればエネルギー消費效率を 2.6倍以上高めて投資回収率を極大化できると説明した. 会社は今後の次世代 3次元 Vネンドと専用超高速コントローラーを搭載した次世代 SSDを出市してプレミアム SSD 市場で競争力を強化すると明らかにした.
前副社長は投資效率を高めることができる新しいメモリーソリューション開発を通じてプレミアム製品の競争力をもっと強化したとこれからグローバル企業とグリーン IT 協力を強化すると言った.
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