CPUの基本構造と同時に核心素子(素材)を作った人"を捜したら, 現代半導体歴史上一番偉い韓国人科学者である 強大院博士を必ず憶えなければなりません. 彼が発明した技術なしには今日の CPUも, スマトホンも存在することができなかったです.
現代 CPUの骨組みを作った強大院博士
1960年, アメリカベル研究所で勤めた韓国人科学者強大院博士は仲間マーティンアタルだと(Martin Atalla) 博士とともに MOSFET(戦場效果トランジスター)を最初に開発しました.
が技術がどうして CPUの核心でしょうか? 初期のトランジスターは全力消耗がとても大きくて大きさを減らしにくかったです. 一方強大院博士の作った MOSFETは全力消耗が極度に少なくて, 大きさを分子水準で小さく減らして一つのチップに数十億犬ずつきちきちに入れることができる特性を持ちました.
現代 CPUの基本単位: 今日インテル, AMD, アップルなどが作る最新 CPU 内部には数百億犬のトランジスターの入って行くのに, このトランジスターの 99.9%がすぐ強大院博士の MOSFET 構造を基盤で作動します.
フラッシュメモリーの基盤も用意
強大院博士は 1967年 フローティングゲート(Floating Gate) 構造も最初に発明しました. これは田園が消えてもデータが消えない技術で, 今日私たちがスマトホンとコンピューターに使う NAND フラッシュメモリー(SSD, USB メモリーなど)の母胎になりました.
要約しようとすると
CPUを作る "石(シリコーンWafer)" 自体を韓国人が見つけたことではないです. するが その石の上にどんな方式で回路を刻んで入れると現代的な CPUが作動することができるのか, その根本的な "素子の原理と構造"を発明した人物がまさに韓国人科学者強大院博士です.
彼はトマス・エジソン, ライト兄弟などとともにアメリカ "発明家名誉の殿堂"にホンエックドエル位世界半導体歴史に巨大な足跡を残しました.
エジプト出身博士と強大院博士の寄与度
強大院博士とともに共同研究を進行した人物はイタリア博士ではなく, エジプト出身のアメリカ人科学者 "モハマドマーティンアタルだと(Mohamed Martin Atalla)" 博士です. 名前の発音が "アタルだと"のためたまに "イタリア"に誤認される場合があります.
二人は 1959‾1960年アメリカベル研究所で一緒に協力して現代半導体の核心である MOSFET(電界效果トランジスター)を発明しました. 二人の寄与度は優劣を選り分けることができない位相互補完的だったし, 役目分担が非常に完璧でした.
1. マーティンアタルだと博士の寄与: "基盤手懐け (表面安定化)"
アタルだと博士は強大院博士より先輩研究員と同時にチームのリーダー柄でした. 当時半導体研究の最大の宿題はシリコーン表面が空気中の不純物と応じて電気がまともに経たない不安定性でした.
シリコーン表面安定化(Passivation): アタルだと博士はシリコーン表面に二酸化ケイ素($SiO_2$) サンファマックを加えれば表面の欠陷が劇的に減って素子が安定化されるという事実を見つけました.
これがどうしてズングヨハだったら, このサンファマック技術おかげさまで初めて電気を制御することができる "縁切り層"を作ることができるようになったし, MOSFET 発明の決定的な飛び石になりました.
2. 強大院博士の寄与: "MOSFET 構造の設計及び最初具現"
アタルだと博士が表面安定化技術を開発すると, 当時新入研究員だった強大院博士はこのアイディアを発展させて "金属-酸化物-半導体(MOS)" 構造の電界效果トランジスターを提案して, これを実際に作動する素子で製作(具現)やりこなしました.
最初の製作者: アタルだと博士の化学的表面処理技術を土台で, 実際電流が流れて制御される金属ゲートとソース, ドレーン構造を設計してプロトタイプを作り出した主人公がすぐ強大院博士です.
強大院博士はこの研究の第1著者(Primary Inventor)として論文と特許を主導しました.
二人の人の偉いシナジー
二人中一人でもいなかったら MOSFETの誕生はずっと遅くなったはずです.
アタルだと博士が半導体表面の問題を解決する化学的・物理的突破口を開いたら,
強大院博士はその突破口を土台で現代半導体の標準になった電磁気学籍素子構造を完成して現実で作り出しました.
二人の人の寄与度は完全に同等に認められています. このために 2009年二人は アメリカ発明家名誉の殿堂(National Inventors Hall of Fame)に共同でホンエックになりました.
面白い余談
アタルだと博士は以後金融保安分野で進出して, 私たちが銀行 ATM 這うのを使う時使う パスワード(PIN, Personal Identification Number) システムを発明して "PINのお父さん"でも殖やします. 一方強大院博士はベル研究所にずっと残ってスマトホンと USBの核心である フラッシュメモリー(フローティングゲート) 技術を追加で発明して半導体ウェギルをかけました.
日本人はその事実が分かっていましょうか?
結論から申し上げれば, 日本の半導体専門家たちと専攻者たちはこの事実をとてもよく分かっているし, 甚だしくは強大院博士をすごく高く評価して尊敬します.
日本が全世界半導体市場を制覇した 1980年代黄金期の主役がすぐ強大院博士が作った "MOSFET"と "フラッシュメモリー" 技術だったからです. ただ, 一般大衆次元では韓国と同じくこの分野を深く掘り下げない以上よく分からない方です.
日本人たちがこの事実をどんなに認知して対するのか何種類おもしろい観点で分けて見られます.
1. 日本半導体神話の "恩人"で記憶
日本は 1970‾1980年代にアメリカを追い抜いて世界 DRAM(メモリー半導体) 市場の 80% 以上を掌握してチォホファングギを享受しました. この時日本がアメリカを勝つことができた核心武器がすぐ強大院博士の MOSFET 構造でした. 当時高性能・低電力を武器でコンピューター市場の版図を変えた日本企業ら(東芝, 日立, NEC など)の技術陣に強大院という名前は専攻書籍と論文で毎日向い合う "基礎学問の巨人"でした.
2. 日本最高の技術者フラッシュメモリーとの縁
日本半導体歴史上一番偉い発明で数えられるのが東芝の "マスオカフジオ" 博士が開発した "フラッシュメモリー(Flash Memory)"です. 日本人たちはこのフラッシュメモリーに対する自負心がおびただしいです. しかし日本専門家たちはマスオカ博士がフラッシュメモリーを発明することができた根本的な土台がすぐ強大院博士が 1967年に発明した "フローティングゲート(Floating Gate)"という点を明確に認知して記録しています. 強大院博士の先行研究がなかったら日本のフラッシュメモリーも世の中に出ることができなかったはずです.
3. 日本研究所の "首長"に招聘される
日本が強大院博士の業績をいくら深く認めたかは彼の末年歩みを見れば分かります. 強大院博士がベル研究所を引退した後人 1988年, 日本の大型 IT 企業人 NEC(日本電気)がアメリカニュージャージーにプリンストン基礎科学研究所(NEC Research Institute)を設立しながら 彼を招待所長(社長)でいきなり迎入しました.
"半導体の基本を変えた世界最高権威者に私たちの研究所を任せる"と言う日本企業の全幅的な信頼と礼遇の表現でした.
結論
一般日本大衆は "スマトホンや CPUを誰が初めて作ったか?"と問えばアメリカや日本企業の名前を言うでしょう.
しかし日本の 半導体エンジニア, 大学教授, IT 業界専門家たちに "強大院(Dawon Kahng)"という名前は国籍を超越して現代電子工学の基礎を用意した "偉い師匠と同時に巨人"で明らかに刻印されています.