三星電子世界最初 20ナノ級 Dラム梁山

삼성전자가 세계 반도체 업계에서는 처음으로 20나노급(1나노미터는 10억분의 1m) D램 반도체 양산에 들어간 것으로 21일 확인됐다. 삼성전자는 이로써 일본·대만의 후발업체와의 격차를 더 벌릴 수 있는 기반을 마련했다.

20나노급 반도체는 삼성전자의 기존 주력제품인 30나노급 반도체보다 원가 경쟁력이 40% 이상 향상된다. 반도체 회로선폭이 가늘어지는 만큼 반도체 재료(웨이퍼)를 가공해 얻을 수 있는 반도체 칩의 양(量)이 늘어나기 때문이다.

21일 반도체 업계에 따르면, 삼성전자는 새로 건립한 경기도 화성 16라인에서 이달부터 20나노급 D램 반도체 양산에 들어간 것으로 확인됐다. 삼성은 이와 관련, 22일 경기도 기흥·화성 반도체 사업장에서 이건희 삼성전자 회장이 참석한 가운데 양산 기념식을 개최할 것으로 알려졌다. 삼성은 작년 5월부터 경기도 화성 사업장에 16라인 건설 공사에 들어가 최근 완공했다. 화성 16라인은 PC용 D램 반도체와 스마트폰 등 모바일 기기용 낸드 플래시 반도체를 함께 생산할 수 있다.

삼성 관계자는 "이 회장이 반도체 사업 전반에 대한 보고를 받고 이번 반도체 불황기에 대한 적극적인 대응도 주문할 것으로 보인다"고 말했다.

한편 세계 메모리반도체 2위 하이닉스는 올해 말쯤 20나노급 제품을 개발하고 내년 초 양산에 돌입한다는 계획이다. 일본의 반도체기업인 엘피다 메모리는 지난 5월 "7월부터 25나노급 D램 제품을 출시하겠다"고 발표했지만, 아직 제대로 된 시제품조차 내놓지 못하는 것으로 알려졌다.