삼성전자, 20나노 급 D램 3분기 양산..日에 "판정승"
| 기사입력 2011-08-10 15:20 
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[아시아경제 박지성 기자] 차세대 공정인 20나노 급 D램 경쟁에서도 삼성전자가 일본 기업보다 한 발 앞서갈 것으로 보인다. 일본 엘피다의 25나노 D램이 시제품 출시 단계인 반면 삼성전자의 20나노 급 D램은 양산 초읽기에 들어갔다. 10일 관련 업계에 따르면 삼성전자는 올 3분기 중 20나노 급 D램 양산에 들어갈 예정이다. 당초 "연말 양산"에서 "연내 가급적 빠른 시일"로 전략을 수정해 연구개발에 박차를 가한 결과다.
현재 삼성전자는 20나노 급 D램 개발 단계를 양산 직전 수준까지 끌어올려 마무리 작업을 진행 중이다. 그에 비해 이달 초 엘피다가 발표한 25나노 2기가비트(Gb) DDR3 SD램은 샘플 단계로 테스트 등의 과정만 4개월여가 소요돼 연내 양산 여부도 불투명한 상태다. 최근 공개된 엘피다의 25나노 샘플 제품 사진을 기준으로 보자면 샘플 제작 이후 반도체 모듈화, 제품 테스트, 피드백과 고객 인증의 과정을 거친 뒤 양산이 진행된다. 현재 삼성전자는 고객 인증까지 마친 상태로 알려졌다.
양산 과정까지의 투자 부문에서도 삼성전자가 우위를 점한다. 미세공정 전환을 하게 되면 기존 장비의 보강과 교체가 필요해 양산까지 대규모 투자가 필요하다. 이를 위해 삼성전자는 공정 전환을 위한 투자를 꾸준히 지속해 왔다. 반도체 업황 침체에도 불구하고 지난 2분기에도 흑자를 내 자금 사정도 여유가 있다.
엘피다는 지난 1분기(4~6월) 적자를 포함해 3분기 연속 적자를 기록해 재무적 여건이 그리 좋은 편이 아니다. 지난달 공정전환과 부채상환을 위해 실시한 797억엔 규모의 자금조달에서도 88% 수준을 달성하는데 그쳤다. 장비 구축 후에도 6개월여 간의 안정화 기간도 필요하다.
삼성전자의 20나노 급 공정 양산이 가시화됨에 따라 19년간 지켜온 반도체 세계 1위 지위도 굳건히 유지될 전망이다. 20나노 급 제품은 기존의 30나노 급보다 생산 효율이 뛰어나 경쟁업체 대비 가격 경쟁력에서 우위를 점하는 효과가 있다. 또한 전력 소모나 크기 등 기능적인 측면도 우월해 다양한 제품군에 효과적으로 적용될 수 있다.
삼성전자 관계자는 "현재 개발 중인 20나노 급 D램이 최근 발표된 엘피다의 제품보다 개발 과정에서 앞서 있는 것으로 보인다"며 "20나노 급 제품은 이달 내까지는 확실치 않지만 내달 안에는 양산에 돌입 할 것"이라고 말했다.
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박지성 기자 jiseong@
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