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中国は、次世代SiCパワー半導体に10兆円の投資をしている。
しかし、日本では、次次世代GaNパワー半導体において、技術の壁を打ち破り、低コスト化、高性能化を達成した。
その性能は、SiCパワー半導体を上回る。
これらは
・EVの５分での充電、航続距離延伸
・データセンターの消費電力削減・発熱抑制
などを実現させる。
とりあえずは、中国SiCパワー半導体は、市場を席捲するだろう。
はたして３年後、パワー半導体の勢力図はどうなっているだろうか。
中国SiCパワー半導体は、落城するのだろうか。
もっとも、細かく見れば、SiCパワー半導体にも得意領域はあり、それなりには残るだろう。
중국은, 차세대 SiC 파워 반도체에 10조엔의 투자를 하고 있다.
그러나, 일본에서는, 차차 세대 GaN 파워 반도체에 대하고, 기술의 벽을 깨어, 저비용화, 고성능화를 달성했다.
그 성능은, SiC 파워 반도체를 웃돈다.
이것들은
·EV의 5분으로의 충전, 항속 거리 연신
·데이터 센터의 소비 전력 삭감·발열 억제
등을 실현시킨다.
우선은, 중국 SiC 파워 반도체는, 시장을 석권할 것이다.
과연 3년 후, 파워 반도체의 세력도는 어떻게 되어 있을까.
중국 SiC 파워 반도체는, 낙성 하는 것일까.
무엇보다, 세세하게 보면, SiC 파워 반도체에도 이익 영역은 있어, 그 나름대로는 남을 것이다.
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