3차원 NAND의 샘플 출하 시기, 대기업 메이커가 잇따라 표명
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JA
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keraman
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3 차원 NAND의 샘플 출하 시기, 대기업 메이커가 잇따라 표명2013/08/20
「Flash Memory Summit(FMS) 2013」(2013년 8월13~15일본, 미국 캘리포니아주 Santa Clara)의 회기 첫날에 열린 「Flash Below 20nm - What is coming and When?」라고 제목을 붙이는 패널·디스커션에서는, 대기업 메모리·메이커 각사의 담당자가 등단 해, 20 nm세대 이후를 향한 NAND 플래시·메모리의 기술 전략을 말했다.이 장소에서 밝혀진 것은, 각사가 언제, 어느 기술 세대를 경계로 메모리·셀을 세로 쌓는 3 차원 NAND 플래시·메모리(이하, 3 차원 NAND)에 이행 하려고 하고 있을까다.한국 Samsung Electronics사에 계속 되는 형태로, 각사는 연달아 3 차원 NAND의 샘플 출하 시기를 표명했다.
SK Hynix는 128 G비트품을 2013년내에한국 SK Hynix사로부터 등단 한 Myoung Kwan Cho씨(Research Fellow, Head of Flash Device Engineering Team E3, Flash Development Division)는, 동사가 16 nm세대의 NAND 플래시·메모리의 개발을 완료한 것을 분명히 했다.현재, 양산을 시작중이다.이것과 병행해 3 차원 NAND의 개발을 진행시키고 있으면 좋은, 「2013년말에(샘플품의) 출하를 개시한다」(Cho씨)이라고 이야기했다.샘플품의 사양은 분명히 하지 않았지만, Samsung사의 3 차원 NAND 「V-NAND」라고 같이, 요금·트랩형의 메모리·셀을 24단 적층한 128 G비트품을 계획하고 있는 모양이다.
Micron는 256 G비트품을 2014년 상반기에미 Micron Technology사의 Chuck Dennison씨(Senior Director, Process Integration)가 말한 동사의 전략은, SKHynix사에 가깝다.현재 Micron사는 16 nm세대품을 샘플 출하중에서, 이 다음의 기술 세대로는 「3 차원 NAND에 이행 하고 싶다」(Dennison씨)로 한다.샘플 출하 시기는 2014년 상반기를 예정하고 있다.Micron사는 16 nm세대의 2비트/셀(MLC) 품으로 128 G비트의 메모리 용량을 실현하고 있어 3 차원 NAND의 샘플품은 이것을 견디는 256 G비트를 예정하고 있다고 한다.메모리·셀의 적층수는 30단을 넘을 전망이다.
토시바·SanDisk는 1 Znm 세대까지의 미세화를 우선한편, NAND 플래시·메모리를 토시바와 공동으로 개발·생산하고 있는 미 SanDisk사로부터 등단 한 Ritu Shrivastava씨(Vice President, Technology Development)는, 현재 양산중의 19nm Advanced 세대(SanDisk사의 호칭에서는 1 Ynm 세대)에 계속 되는「1 Znm 세대까지는 3 차원 NAND보다(planar 구조가) 코스트로 우위」라고 말해, 당면은 미세화를 우선할 방침을 나타냈다.1 Znm 세대는 이미 피지빌리티(feasibility)(실현 가능성)의 검증을 끝내고 있다고 한다.3 차원 NAND에 대해서는, 제1세대품으로부터 「(planar 구조의) 1 Znm 세대품보다 저비용으로 하는 것을 노리고 있다」(Shrivastava씨)로 해, 2015년에 샘플 출하, 2016년에 양산을 개시할 계획으로 하고 있다.다만, 엔지니어링·샘플 이전의 프로토 타입·샘플에 대해서는, 2013년도중에도 출하를 개시할 의향으로 보여진다.
, 어떻게 되겠지요.
여기 일년은 볼 만하네요＾＾
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3次元NANDのサンプル出荷時期、大手メーカーが相次ぎ表明
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3次元NANDのサンプル出荷時期、大手メーカーが相次ぎ表明2013/08/20
「Flash Memory Summit(FMS) 2013」(2013年8月13～15日、米国カリフォルニア州Santa Clara)の会期初日に開かれた「Flash Below 20nm - What is coming and When?」と題するパネル・ディスカッションでは、大手メモリ・メーカー各社の担当者が登壇し、20nm世代以降に向けたNANDフラッシュ・メモリの技術戦略を語った。この場で明らかにされたのは、各社がいつ、どの技術世代を境にメモリ・セルを縦積みする3次元NANDフラッシュ・メモリ(以下、3次元NAND)へ移行しようとしているかだ。韓国Samsung Electronics社に続く形で、各社は相次いで3次元NANDのサンプル出荷時期を表明した。
SK Hynixは128Gビット品を2013年内に韓国SK Hynix社から登壇したMyoung Kwan Cho氏(Research Fellow, Head of Flash Device Engineering Team E3, Flash Development Division)は、同社が16nm世代のNANDフラッシュ・メモリの開発を完了したことを明らかにした。現在、量産を立ち上げ中である。これと並行して3次元NANDの開発を進めているといい、「2013年末に(サンプル品の)出荷を開始する」(Cho氏)と話した。サンプル品の仕様は明らかにしなかったが、Samsung社の3次元NAND「V-NAND」と同様、チャージ・トラップ型のメモリ・セルを24段積層した128Gビット品を計画しているもようだ。
Micronは256Gビット品を2014年上期に米Micron Technology社のChuck Dennison氏(Senior Director, Process Integration)が語った同社の戦略は、SK Hynix社に近い。現在Micron社は16nm世代品をサンプル出荷中で、この次の技術世代では「3次元NANDへ移行したい」(Dennison氏)とする。サンプル出荷時期は2014年上期を予定している。Micron社は16nm世代の2ビット/セル(MLC)品で128Gビットのメモリ容量を実現しており、3次元NANDのサンプル品はこれをしのぐ256Gビットを予定しているという。メモリ・セルの積層数は30段を超える見通しである。
東芝・SanDiskは1Znm世代までの微細化を優先一方、NANDフラッシュ・メモリを東芝と共同で開発・生産している米SanDisk社から登壇したRitu Shrivastava氏(Vice President, Technology Development)は、現在量産中の19nm Advanced世代(SanDisk社の呼称では1Ynm世代)に続く「1Znm世代までは3次元NANDよりも(プレーナ構造の方が)コストで優位」だと語り、当面は微細化を優先する方針を示した。1Znm世代は既にフィージビリティ(実現可能性)の検証を終えているという。3次元NANDについては、第1世代品から「(プレーナ構造の)1Znm世代品よりも低コストにすることを狙っている」(Shrivastava氏)とし、2015年にサンプル出荷、2016年に量産を開始する計画としている。ただし、エンジニアリング・サンプル以前のプロトタイプ・サンプルについては、2013年度中にも出荷を開始する意向とみられる。
さぁ、どうなるんでしょうね。
ここ一年は見ものですね＾＾
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